Simultaneous operation of two adjacent double dots in silicon

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 10, 2001, Pages 1421-1423

  Single, C ^a   Prins, F E ^a   Kern, D P ^a  

^a Institut fur Angewandte Physik   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035809574     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1353840     Document Type: Article

References (15)

1. P. D. Tougaw, C. S. Lent, and W. Porod, J. Appl. Phys. 74, 3558 (1993).
2. P. D. Tougaw and C. S. Lent, J. Appl. Phys. 75, 1818 (1994).
3. I. Amlani, A. O. Orlov, G. L. Snider, C. S. Lent, and G. H. Bernstein, Appl. Phys. Lett. 72, 2179 (1998).
4. A. O. Orlov, I. Amlani, R. K. Kummamuru, R. Ramasubramaniam, G. Toth, C. S. Lent, G. H. Bernstein, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 77, 295 (2000).
5. I. Amlani, A. O. Orlov, R. K. Kummamuru, G. L. Snider, C. S. Lent, and G. H. Bernstein, Appl. Phys. Lett. 77, 738 (2000).
6. B. Leobandung, L. Guo, and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 67, 938 (1995).
7. P. A. Cain, H. Ahmed, D. A. Williams, and J. M. Bonar, Appl. Phys. Lett. 77, 3415 (2000).
8. R. A. Smith and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 81, 2699 (1997).
9. R. Augke, W. Eberhardt, S. Strähle, F. E. Prins, and D. P. Kern, Microelectron. Eng. 46, 141 (1999).
10. S. Strähle, K.-D. Schock, F. E. Prins, and D. P. Kern, Microelectron. Eng. 87, 4580 (2000).
11. H. Heidemeyer, C. Single, F. Zhou, F. E. Prins, D. P. Kern, and E. Plies, J. Appl. Phys. 87, 4580 (2000).
12. C. Single, R. Augke, F. E. Prins, and D. P. Kern, Semicond. Sci. Technol. 14, 1165 (1999).
13. R. Augke, W. Eberhardt, C. Single, F. E. Prins, D. A. Wharam, and D. P. Kern, Appl. Phys. Lett. 76, 2065 (2000).
14. R. H. Blick, R. J. Haug, J. Weis, D. Pfannkuche, K. von Klitzing, and K. Eberl, Phys. Rev. B 53, 7899 (1996).
15. F. Hofmann, T. Heinzel, D. A. Wharam, J. P. Kotthaus, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann, Phys. Rev. B 51, 13872 (1995).