Optical transitions in type-II InAsGaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 2, 2007, Pages

  Jin, C Y ^a   Liu, H Y ^a   Zhang, S Y ^a   Jiang, Q ^a   Liew, S L ^a   Hopkinson, M ^a   Badcock, T J ^a   Nabavi, E ^a   Mowbray, D J ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC FIELDS; EXCITED STATES; GROUND STATE; PHASE TRANSITIONS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

CARRIER-INDUCED ELECTRIC FIELD; EXCITED STATE TRANSITIONS; RECOMBINATION COEFFICIENT;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 34547220385     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2752778     Document Type: Article

References (19)

1. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1998).
2. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
3. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
4. H. Y. Liu, M. Hopkinson, C. N. Harrison, M. J. Steer, R. Frith, I. R. Sellers, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, J. Appl. Phys. 93, 2931 (2003).
5. H. D. Kim, W. G. Jeong, J. H. Lee, J. S. Yim, D. Lee, R. Stevenson, P. D. Dapkus, J. W. Jang, and S. H. Pyun, Appl. Phys. Lett. 87, 083110 (2005).
6. M. Sopanen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 76, 994 (2000).
7. G. Balakrishnan, S. Huang, T. J. Rotter, A. Stintz, L. R. Dawson, K. J. Malloy, H. Xu, and D. L. Huffaker, Appl. Phys. Lett. 84, 2058 (2004).
8. K. Akahane, N. Yamamoto, and N. Ohtani, Physica E (Amsterdam) 21, 295 (2004).
9. J. M. Ripalda, D. Granados, Y. González, A. M. Sánchez, S. I. Molina, and J. M. García, Appl. Phys. Lett. 87, 202108 (2005).
10. H. Y. Liu, M. J. Steer, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, F. Suarez, J. S. Ng, M. Hopkinson, and J. P. R. David, J. Appl. Phys. 99, 046104 (2006).
11. H. Y. Liu, M. J. Steer, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, P. Navaretti, K. M. Groom, M. Hopkinson, and R. A. Hogg, Appl. Phys. Lett. 86, 143108 (2005).
12. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K. H. Bachem, and D. Richards, Appl. Phys. Lett. 67, 2639 (1995).
13. T. T. Chen, C. L. Cheng, Y. F. Chen, F. Y. Chang, H. H. Lin, C.-T. Wu, and C.-H. Chen, Phys. Rev. B 75, 033310 (2007).
14. D. A. B. Miller, D. S. Chemla, T. C. Damen, A. C. Gossard, W. Wiegmann, T. H. Wood, and C. A. Burrus, Phys. Rev. B 32, 1043 (1985).
15. C. Weisbuch and B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures (Academic, Boston, 1991), pp. 20.
16. P. W. Fry, I. E. Itskevich, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, J. J. Finley, J. A. Barker, E. P. O'Reilly, L. R. Wilson, I. A. Larkin, P. A. Maksym, M. Hopkinson, M. Al-Khafaji, J. P. R. David, A. G. Cullis, G. Hill, and J. C. Clark, Phys. Rev. Lett. 84, 733 (2000).
17. Y. S. Chiu, M. H. Ya, W. S. Su, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 92, 5810 (2002).
18. E. C. Le Ru, J. Fack, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 245318 (2003).
19. S. Sanguinetti, D. Colombo, M. Guzzi, E. Grilli, M. Gurioli, L. Seravalli, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 74, 205302 (2006).