Synthesis of vertical high-density epitaxial Si(100) nanowire arrays on a Si(100) substrate using an anodic aluminum oxide template

Advanced Materials

Volumn 19, Issue 7, 2007, Pages 917-920

  Shimizu, Tomohiro ^a   Xie, Tian ^a   Nishikawa, Jo ^b   Shingubara, Shoso ^b   Senz, Stephan ^a   Gösele, Ulrich ^a  

^a MAX PLANCK INSTITUTE OF MICROSTRUCTURE PHYSICS   (Germany)

^b KANSAI UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANODIC OXIDATION; ELECTROLESS PLATING; EPITAXIAL GROWTH; NANOPORES; SEMICONDUCTING SILICON; SYNTHESIS (CHEMICAL);

ANODIC ALUMINUM OXIDE (AOO); ETCHING RATES; OXALIC ACID;

NANOWIRES;

EID: 34250629761     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200700153     Document Type: Article

References (27)

1. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, L. J. Lauhon, K. Kim, C. M. Lieber, Science 2001, 294, 1313.
2. D. Wang, B. A. Sheriff, J. R. Heath, Nano Lett. 2006, 6, 1096.
3. H. T. Ng, J. Han, T. Yamada, P. Nguyen, Y. P. Chen, M. Meyyappan, Nano Lett. 2004, 4, 1247.
4. V. Schmidt, H. Riel, S. Senz, S. Karg, W. Riess, U. Gösele, Small 2006, 2, 85.
5. V. Schmidt, S. Senz, U. Gösele, Nano Lett. 2005, 5, 931.
6. H. Masuda, K. Fukuda, Science 1995, 268, 1466.
7. S. Shingubara, O. Okino, Y Suyama, H. Sakaue, T. Takahagi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1997, 36, 7791.
8. W. Lee, R. Ji, U. Gösele, K. Nielsch, Nat. Mater. 2006, 5, 741.
9. T. Shimizu, M. Nagayanagi, Y. Fujii, O. Yaegashi, G. R. Wu, H. Sakaue, T. Takahagi, O. Sakata, K. Kusaka, S. Shingubara, Trans. Magn. Soc. Jpn. 2004, 4, 231.
10. K. Lew, C. Reuther, A. H. Carim, J. M. Redwing, B. R. Martin, J. Vac. Sci. Technol. B 2001, 19, 389.
11. M. Steinhart, J. H. Wendorff, A. Greiner, R. B. Wehrspohn, K. Nielsch, J. Schilling, J. Choi, U. Gösele, Science 2002, 296, 1997.
12. W. Lee, R. Scholz, K. Nielsch, U. Gösele, Angew. Chem. Int. Ed. 2005, 44, 6050.
13. I. Lombardi, A. I. Hochbaum, P. Yang, C. Carraro, R. Maboudian, Chem. Mater. 2006, 18, 988.
14. H. Masuda, M. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 1996, 35, L126.
15. S. Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, S. Todoroki, Y. K. Takahashi, K. Hono, Chem. Mater. 2002, 14, 4595.
16. Y. Yang, H. Chen, Y. Mei, J. Chen, X. Wu, X. Bao, Solid State Commun. 2002, 123, 279.
17. T. Shimizu, M. Nagayanagi, T. Ishida, O. Sakata, T. Oku, H. Sakaue, T. Takahagi, S. Shingubara, Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, J13.
18. T. Shimizu, S. Senz, S. Shingubara, U. Gösele, Applied Physics A, in press.
19. K. Nielsch, F. Müller, A. P. Li, U. Gösele, Adv. Mater. 2000, 12, 582.
20. H. Asoh, M. Matuo, M. Yoshihama, S. Ono, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 4408.
21. H. Shiraki, Y. Kimura, H. Ishii, S. Ono, K. Itaya, M. Niwano, Appl. Surf. Sci. 2004, 237, 369.
22. A. A. Yasseri, S. Sharma, G. Y. Jung, T. I. Kamins, Electrochem. Solid-State Lett. 2006, 9, C185.
23. H. Masuda, K. Nishio, N. Baba, J. Mater. Sci. Lett. 1994, 13, 338.
24. L. A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto, A. Fujishima, J. Vac. Sci. Technol. A 1993, 11, 763.
25. K. Peng, J. Hu, Y. Yan, Y. Wu, H. Fang, Y. Xu, S. Lee, J. Zhu. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 387.
26. Y. Wang, V. Schmidt, S. Senz, U. Gösele, Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 186.
27. D. Shir, B. Z. Liu, A. M. Mohammad, K. K. Lew, S. E. Mohney, J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 1333.