Anisotropic etching of InP and InGaAs by using an inductively coupled plasma in Cl2/N2 and Cl2/Ar mixtures at low bias power

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 50, Issue 4, 2007, Pages 1130-1135

  Bae, J W ^a   Jeong, C H ^a   Lim, J T ^a   Lee, H C ^a   Yeom, G Y ^a   Adesida, I ^b  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

Low bias; Vapor pressure; Vertical etch

Indexed keywords

EID: 34248377869     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.50.1130     Document Type: Article

References (13)

1. Y. W. Chen, B. S. Ooi, G. I. Ng and C. L. Tan, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1903 (2000).
2. R. Khare, J. Brown, M. Hu, D. Pierson, M. Melendes and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2947 (1994).
3. K. Y. Hur, B. J. Guerin and T. E. Kazior, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1410 (1994).
4. B. W. Kim, D. K. Lee and D. I. Han, J. Korean Phys. Soc. 46, 460 (2005).
5. S. L. Rommel, J. H. Jang, W. Lu, G. Cueva, L. Zhou, I. Adesida, G. Pajer, R. Whaley, A. Lepore, Z. Schellanbarger and J. H. Abeles, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1327 (2002).
6. D. H.Lee, B. J. Park, G. Y. Yeom, S. J. Kim, J. K. Lee, K. H. Baek and C. J. Kang, J. Korean Phys. Soc. 46, 867 (2005).
7. C. Constantine, C. Barratt, S. J. Pearton, F. Ren and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 61, 2899 (1992).
8. J. Etrillard, J. F. Bresse, C. Daguet, M. Riet and J. Ma, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1174 (1999).
9. J. Etrillard, P. Ossart, G. Patriarche, M. Juhel, J. F. Bresse and C. Daguet, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 626 (1999).
10. S. F. Yoon, T. K. Ng and H. Q. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1175 (2001).
11. F. Ren, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lopata, J. A. Caballero, S. J. Pearton and M. W. Cole, Appl. Phys. Lett. 67, 2497 (1995).
12. R. J. Contolini, J. Electrochem. Soc. 135, 929 (1998).
13. V. L. Berkovits, V. P. Ulin, M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno, G. Perna and V. Capozzi, Appl. Phys. Lett. 80, 3739 (2002).