Electron cyclotron resonance plasma etching of InP through-wafer connections at >4 μm/min using Cl2/Ar

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 18, Issue 4, 2000, Pages 1903-1905

  Chen, Y W ^a   Ooi, B S ^a   Ng, G I ^a   Tan, C L ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 26444507287     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (19)

1. H. Takano, K. Sumitani, H. Matsuoka, K. Sato, O. Ishihara, and N. Tsubouchi, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 112 (1996).
2. A. Mitra, C. D. Nordquist, T. N. Jackson, and T. S. Mayer, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2695 (1998).
3. S. Salimian, C. B. Cooper III, and M. E. Day, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 1606 (1987).
4. R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J. C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger, and S. H. Kravitz, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 657 (1997).
5. S. J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, and B. Tseng, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 152 (1993).
6. K. P. Hilton and J. Woodward, Electron. Lett. 21, 962 (1985).
7. K. J. Nordheden, D. W. Ferguson, and P. M. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1879 (1993).
8. M. S. Chung, H. R. Kim, J. E. Lee, B. K. Kang, and B. M. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 159 (1993).
9. L. G. Hipwood and P. N. Wood, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 395 (1985).
10. R. J. Shul, A. G. Baca, R. D. Briggs, and G. B. McClellan, Electrochem. Soc. Proc. 2, 515 (1996).
11. F. Foulon and M. Green, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1854 (1993).
12. T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, Y. Sakata, T. Takeuchi, M. Yamamoto, H. Hotta, S. Kohmoto, and K. Asakawa, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1764 (1996).
13. S. Trassaert, B. Boudart, S. Piotrowioz, and Y. Crosnier, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 561 (1998).
14. O. A. Ghandour, R. Scarmozzino, R. M. Osgood, and W. W. Hooper, IEEE Trans. Semicond. Manuf. 6, 357 (1993).
15. R. Khare, E. L. Hu, J. J. Brown, and M. A. Melenders, Proceedings of the Fifth International Conference on InP and Related Materials, 1993, p. 537.
16. K. Y. Hur, B. J. Guerin, and T. E. Kazior, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1410 (1994).
17. C. Constantine, C. Barratt, S. J. Pearton, F. Ren, J. R. Lothian, W. S. Hobson, A. Katz, L. W. Yang, and P. C. Chao, Electron. Lett. 29, 984 (1993).
18. K. K. Ko and S. W. Pang, J. Electrochem. Soc. 142, 3945 (1995).
19. J. W. Lee, J. Hong, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 68, 847 (1996).