Synthesis of oxide encapsulated and freestanding hydride surface terminated Si1-xGex nanocrystals

Chemistry of Materials

Volumn 19, Issue 8, 2007, Pages 1886-1888

  Henderson, Eric J ^a   Veinot, Jonathan G C ^a  

^a UNIVERSITY OF ALBERTA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; ENCAPSULATION; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; REACTION KINETICS; SILICON COMPOUNDS; SYNTHESIS (CHEMICAL);

DISPROPORTIONATION; GLOVEBOX ATMOSPHERE; MAXIMUM PROCESSING TEMPERATURE; NANOPARTICLE HYDRIDES;

NANOCRYSTALS;

EID: 34247642660     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm070022l     Document Type: Article

References (23)

1. Canham, L. T. Appl. Phys. Lett. 1990, 57 (10), 1046.
2. Takeoka, S.; Fujii, M.; Hayashi, S.; Yamamoto, K. Phys. Rev. B 1998, 58 (12), 7921.
3. Veinot, J. G. C. Chem. Commun. 2006, 40, 4160.
4. Pavesi, L.; Dal Negro, L.; Mazzoleni, C.; Franzò, G.; Priolo, F. Nature 2000, 408, 440.
5. Kuo, Y. H.; Lee, Y. K.; Ge, Y.; Ren, S.; Roth, J. E.; Kamins, T. I.; Miller, D. A. B.; Harris, J. S. Nature 2005, 437, 1334.
6. Compagnoni, C. M.; Gusmeroli, R.; Ielmini, D.; Spinelli, A. S.; Lacaita, A. L.; J. Nanosci. Nanotechnol. 2007, 7, 193.
7. Palfinger, G.; Bitnar, B.; Sigg, H.; Müller, E.; Stutz, S.; Grützmacher, D. Physica E 2003, 16, 481.
8. Weissker, H. C.; Furthmüller, J.; Bechstedt, F. Phys. Rev. Lett. 2003, 90 (8), 085501-1.
9. Takeoka, S.; Toshikiyo, K.; Fujii, M.; Hayashi, S.; Yamamoto, K. Phys. Rev. B 2000, 61 (23), 15988.
10. Yang, Y. M.; Wu, X. L.; Siu, G. G.; Huang, G. S.; Shen, J. C.; Hu, D. S. J. Appl. Phys. 2004, 96 (9), 5239.
11. Yang, Y. M.; Wu, X. L.; Yang, L. W.; Kong, F. J. Cryst. Growth 2006, 291, 358.
12. Kling, A.; Ortiz, M. I.; Sangrador, J.; Rodríguez, A.; Rodríguez, T.; Ballesteros, C.; Soares, J. C. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 2006, 249, 451.
13. Lin, C. W.; Lin, S. Y.; Lee, S. C.; Chia, C. T. J. Appl. Phys. 2002, 91 (4), 2322.
14. Tang, Y. S.; Cai, S.; Jin, G.; Duan, J.; Wang, K. L.; Soyez, H. M.; Dunn, B. S. Appl. Phys. Lett. 1997, 71 (17), 2448.
15. Liao, Y. C.; Lin, S. Y.; Lee, S. C.; Chia, C. T. Appl. Phys. Lett. 2000, 77 (26), 4328.
16. Hessel, C. M.; Henderson, E. J.; Veinot, J. G. C, Chem. Mater. 2006, 18 (26), 6139.
17. Cronemeyer, D. C. J. Appl. Phys. 1958, 29 (12), 1730.
18. Premak, W.; Kampworth, R.; Dayal, Y. J. Electrochem. Soc. 1967, 114, 88.
19. See ref 13 for lattice constants for Si = 0.534 nm and Ge = 0.566 nm.
20. Yang, Y. M.; Wu, X. L.; Huang, G. S.; Hu, D. S.; Siu, G. G. Phys. Lett. A 2005, 338, 379.
21. Hwang, C. W.; Ryu, M. K.; Kim, K. B.; Lee, S. C; Kim, C. S. J. Appl. Phys. 1995, 77 (7), 3042.
22. Fok, E.; Shih, M.; Meldrum, A.; Veinot, J. G. C. Chem. Commun. 2004, 10, 386.
23. Tian, H. H.; Atzmon, M. Philos. Mag. A 1999, 79 (8), 1769.