Tunable quaternary states in ferromagnetic semiconductor GaMnAs single layer for memory devices

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 15, 2007, Pages

  Lee, Sanghoon ^a   Shin, D Y ^a   Chung, S J ^a   Liu, X ^b   Furdyna, J K ^b  

^a Korea University   (South Korea)

^b UNIVERSITY OF NOTRE DAME   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

MULTIDOMAIN STRUCTURE; PLANAR HALL RESISTANCE (PHR); QUATERNARY MEMORY DEVICES; ZERO MAGNETIC FIELDS;

DATA STORAGE EQUIPMENT; HALL EFFECT; MAGNETIC FIELDS; MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MAGNETIZATION;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 34247187517     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2721144     Document Type: Article

References (17)

1. J. M. Daughton, Thin Solid Films 216, 162 (1992).
2. W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin, Yu Lu, X. P. Bian, A. Marley, K. P. Roche, R. A. Altman, S. A. Rishton, C. Jahnes, T. M. Shaw, and Gang Xiao, J. Appl. Phys. 81, 3741 (1997).
3. S. Tehrani, E. Chen, M. Durlam, M. DeHerrera, J. M. Slaughter, J. Shi, and G. Kerszykowski, J. Appl. Phys. 85, 5822 (1999).
4. S. S. Parkin, K. P. Roche, M. G. Samant, P. M. Rice, R. B. Beyers, R. E. Scheuerlein, E. J. O'Sullivan, S. L. Brown, J. Bucchigano, D. W. Abraham, Yu Lu, M. Rooks, P. L. Trouilloud, R. A. Wanner, and W. J. Gallagher, J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999).
5. J. G. Zhu, Y. Zheng, and G. Prinz, J. Appl. Phys. 87, 6668 (2000).
6. Z. Wang and Y. Nakamura, J. Appl. Phys. 79, 6639 (1996).
7. R. Zhang, M. M. Hassoun, W. C. Black, Jr., B. Das, and K. A. Wong, IEEE Trans. Magn. 35, 2829 (1999).
8. H. X. Tang, R. K. Kawakami, D. D. Awschalom, and M. L. Roukes, Phys. Rev. Lett. 90, 107201 (2003).
9. K. Okamoto, J. Magn. Magn. Mater. 35, 353 (1983).
10. G. P. Moore, J. Ferre, A. Mougin, M. Moreno, and L. Daweritz, J. Appl. Phys. 94, 4530 (2003).
11. X. Liu, W. L. Lim, M. Dobrowolska, J. K. Furdyna, and T. Wojtowicz, Phys. Rev. B 71, 035307 (2005).
12. M. Sawicki, F. Matsukura, A. Idziaszek, T. Dietl, G. M. Schott, C. Ruester, C. Gould, G. Karczewski, G. Schmidt, and L. W. Molenkamp, Phys. Rev. B 70, 245325 (2004).
13. K. Y. Wang, K. W. Edmonds, R. P. Campion, L. X. Zhao, C. T. Foxon, and B. L. Gallagher, Phys. Rev. B 72, 085201 (2005).
14. C. Rüster, T. Borzenko, C. Gould, G. Schmidt, L. W. Molenkamp, X. Liu, T. J. Wojtowicz, J. K. Furdyna, Z. G. Yu, and M. E. Flatté, Phys. Rev. Lett. 91, 216602 (2003).
15. W. L. Lim, X. Liu, K. Dziatkowski, Z. Ge, S. Shen, J. K. Furdyna, and M. Dobrowolska, Phys. Rev. B 74, 045303 (2006).
16. D. Y. Shin, S. J. Chung, S. Lee, X. Liu, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. Lett. 98, 047201 (2007).
17. C. Rüster, T. Borzenko, C. Gould, G. Schmidt, L. W. Molenkamp, X. Liu, T. J. Wojtowicz, J. K. Furdyna, Z. G. Yu, and M. E. Flatté, Phys. Rev. Lett. 91, 216602 (2003).