High density submicron magnetoresistive random access memory (invited)

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 8 II B, 1999, Pages 5822-5827

  Tehrani, S ^a   Chen, E ^a   Durlam, M ^a   DeHerrera, M ^a   Slaughter, J M ^a   Shi, J ^a   Kerszykowski, G ^a  

^a Phoenix Corporation Research Laboratories   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; MAGNETORESISTANCE; RANDOM ACCESS STORAGE; TRANSISTORS;

SUBMICRON PSEUDOSPIN VALVE (PSV) MEMORY ELEMENTS;

MAGNETIC MATERIALS;

EID: 0032606397     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369931     Document Type: Article

References (13)

1. J. M. Daughton, Thin Solid Films 216, 162 (1992).
2. B. Dieney, V. S. Speriosu, S. Metin, S. S. P. Parkin, B. A. Gurney, P. Baumgart, and D. R. Wilhoit, J. Appl. Phys. 69, 47744 (1991).
3. W. F. Egelhoff, Jr., P. J. Chen, C. J. Power, M. D. Stiles, R. D. McMichael, C. L. Lin, J. M. Sivertsen, J. H. Judy, K. Takano, A. E. Berkowitz, T. C. Anthony, and J. A. Brug, J. Appl. Phys. 79, 5277 (1996).
4. T. Miyazaki and T. Tezuka, J. Magn. Magn. Mater. 139, L231 (1995).
5. J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wang, and R. Meservey, Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1195).
6. W. J. Gallagher, S. S. P. Parkin, Y. Lu, X. P. Bian, A. Marley, K. P. Roche, R. A. Altman, S. A. Rishton, C. Jahnes, T. M. Shaw, and G. Xiao, J. Appl. Phys. 81, 3741 (1997).
7. D. D. Tang, P. K. Wang, V. S. Speriosu, S. Le, and K. K. Kung, IEEE Trans. Magn. 31, (1995).
8. E. Y. Chen, S. Tehrani, T. Zhu, M. Durlam, and H. Goronkin, J. Appl. Phys. 81, 3992 (1997).
9. A. V. Pohm, R. S. Beech, J. M. Daughton, E. Y. Chen, M. Durlam, K. Nordquist, T. Zhu, and S. Tehrani, J. Appl. Phys. 79, 5889 (1996); A. V. Pohm, R. S. Beech, J. M. Daughton, B. A. Everitt, E. Y. Chen, M. Durlam, K. Nordquist, T. Zhu, and S. Tehrani, IEEE Trans. Magn. 32, 4645 (1996).
10. A. V. Pohm, R. S. Beech, J. M. Daughton, E. Y. Chen, M. Durlam, K. Nordquist, T. Zhu, and S. Tehrani, J. Appl. Phys. 79, 5889 (1996); A. V. Pohm, R. S. Beech, J. M. Daughton, B. A. Everitt, E. Y. Chen, M. Durlam, K. Nordquist, T. Zhu, and S. Tehrani, IEEE Trans. Magn. 32, 4645 (1996).
11. S. Tehrani, E. Chen, M. Durlam, T. Zhu, and H. Goronkin, IEDM Tech. Dig. 193 (1996).
12. J. Shi, T. Zhu, M. Durlam, E. Chen, S. Tehrani, Y. F. Zheng, and J.-G. Zhu, IEEE Trans. Magn. 34, 997 (1998).
13. J. Shi, T. Zhu, S. Tehrani, Y. F. Zheng, and J. G. Zhu, Appl. Phys. Lett. (submitted).