Valence band tunneling model for charge transfer of redox-active molecules attached to n - And p -silicon substrates

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 14, 2007, Pages

  Gowda, Srivardhan ^a   Mathur, Guru ^a   Misra, Veena ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE TRANSFER; CONCENTRATION (PROCESS); DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; MONOLAYERS; SILICON;

AMBIENT LIGHT; REDOX ACTIVE MOLECULES; REDOX ENERGY; REDOX VOLTAGES;

VALENCE BANDS;

EID: 34047250633     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2720337     Document Type: Article

References (15)

1. Z. M. Liu, A. A. Yasseri, J. S. Lindsey, and D. F. Bocian, Science 302, 1543 (2003).
2. J. R. Heath and M. A. Ratner, Phys. Today 0031-9228 10.1063/1.1564348 56 (5), 43 (2003); C. P. Collier, E. W. Wong, M. Belohradsky, F. M. Raymo, J. F. Stoddart, P. J. Kuekes, R. S. Williams, and J. R. Heath, Science 285, 391 (1999).
3. J. R. Heath and M. A. Ratner, Phys. Today 0031-9228 10.1063/1.1564348 56 (5), 43 (2003); C. P. Collier, E. W. Wong, M. Belohradsky, F. M. Raymo, J. F. Stoddart, P. J. Kuekes, R. S. Williams, and J. R. Heath, Science 285, 391 (1999).
4. R. A. Wolkow, Chem. Eng. News 79, 228 (2001).
5. S. Gowda, G. Mathur, Q. Li, S. Surthi, Q. Zhao, J. S. Lindsey, K. Mobley, D. F. Bocian, and V. Misra, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 22.1.1.
6. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1310657 18, 2359 (2000); Q. L. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, V. Misra, T. A. Sorenson, R. C. Tenant, W. G. Kuhr, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. M. Liu, and D. F. Bocian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1584088 83, 198 (2003); W. G. Kuhr, A. R. Gallo, R. W. Manning, and C. W. Rhodine, MRS Bull. 0883-7694 29, 838 (2004); A. Balakumar, A. B. Lysenko, C. Carcel, V. L. Malinovskii, D. T. Gryko, K. H. Schweikart, R. S. Loewe, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 0022-3263 10.1021/jo034944t 69, 1435 (2004); S. Gowda, G. Mathur, Q. L. Li, S. Surthi, and V. Misra, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 258 (2006).
7. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1310657 18, 2359 (2000); Q. L. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, V. Misra, T. A. Sorenson, R. C. Tenant, W. G. Kuhr, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. M. Liu, and D. F. Bocian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1584088 83, 198 (2003); W. G. Kuhr, A. R. Gallo, R. W. Manning, and C. W. Rhodine, MRS Bull. 0883-7694 29, 838 (2004); A. Balakumar, A. B. Lysenko, C. Carcel, V. L. Malinovskii, D. T. Gryko, K. H. Schweikart, R. S. Loewe, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 0022-3263 10.1021/jo034944t 69, 1435 (2004); S. Gowda, G. Mathur, Q. L. Li, S. Surthi, and V. Misra, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 258 (2006).
8. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1310657 18, 2359 (2000); Q. L. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, V. Misra, T. A. Sorenson, R. C. Tenant, W. G. Kuhr, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. M. Liu, and D. F. Bocian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1584088 83, 198 (2003); W. G. Kuhr, A. R. Gallo, R. W. Manning, and C. W. Rhodine, MRS Bull. 0883-7694 29, 838 (2004); A. Balakumar, A. B. Lysenko, C. Carcel, V. L. Malinovskii, D. T. Gryko, K. H. Schweikart, R. S. Loewe, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 0022-3263 10.1021/jo034944t 69, 1435 (2004); S. Gowda, G. Mathur, Q. L. Li, S. Surthi, and V. Misra, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 258 (2006).
9. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1310657 18, 2359 (2000); Q. L. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, V. Misra, T. A. Sorenson, R. C. Tenant, W. G. Kuhr, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. M. Liu, and D. F. Bocian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1584088 83, 198 (2003); W. G. Kuhr, A. R. Gallo, R. W. Manning, and C. W. Rhodine, MRS Bull. 0883-7694 29, 838 (2004); A. Balakumar, A. B. Lysenko, C. Carcel, V. L. Malinovskii, D. T. Gryko, K. H. Schweikart, R. S. Loewe, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 0022-3263 10.1021/jo034944t 69, 1435 (2004); S. Gowda, G. Mathur, Q. L. Li, S. Surthi, and V. Misra, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 258 (2006).
10. K. M. Roth, N. Dontha, R. B. Dabke, D. T. Gryko, C. Clausen, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1310657 18, 2359 (2000); Q. L. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, V. Misra, T. A. Sorenson, R. C. Tenant, W. G. Kuhr, S. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. M. Liu, and D. F. Bocian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1584088 83, 198 (2003); W. G. Kuhr, A. R. Gallo, R. W. Manning, and C. W. Rhodine, MRS Bull. 0883-7694 29, 838 (2004); A. Balakumar, A. B. Lysenko, C. Carcel, V. L. Malinovskii, D. T. Gryko, K. H. Schweikart, R. S. Loewe, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 0022-3263 10.1021/jo034944t 69, 1435 (2004); S. Gowda, G. Mathur, Q. L. Li, S. Surthi, and V. Misra, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 258 (2006).
11. K. M. Roth, A. A. Yasseri, Z. M. Liu, R. B. Dabke, V. Malinovskii, K. H. Schweikart, L. H. Yu, H. Tiznado, F. Zaera, J. S. Lindsey, W. G. Kuhr, and D. F. Bocian, J. Am. Chem. Soc. 125, 505 (2003).
12. S. Gowda, G. Mathur, Q. Li, S. Surthi, and V. Misra, Appl. Phys. Lett. 87, 262115 (2005).
13. D. T. Gryko, F. Zhao, A. A. Yasseri, K. M. Roth, D. F. Bocian, and J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 65, 7356 (2000).
14. Q. L. Li, G. Mathur, S. Gowda, S. Surthi, Q. Zhao, L. H. Yu, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and V. Misra, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 133 (2004).
15. K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, and W. G. Kuhr, Langmuir 18, 4030 (2002).