Multibit memory using self-assembly of mixed ferrocene/porphyrin monolayers on silicon

Advanced Materials

Volumn 16, Issue 2, 2004, Pages 133-137

  Li, Qiliang ^a   Mathur, Guru ^a   Gowda, Srivardhan ^a   Surthi, Shyam ^a   Zhao, Qian ^a   Yu, Lianhe ^b   Lindsey, Jonathan S ^b   Bocian, David F ^c   Misrai, Veena ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

^c UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; CYCLIC VOLTAMMETRY; ELECTROLYTES; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; IRON COMPOUNDS; MOS DEVICES; PORPHYRINS; REDOX REACTIONS; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING SILICON;

FERROCENE; MOLAR RATIO; MULTIBIT MEMORY;

MONOLAYERS;

EID: 1142281169     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200305680     Document Type: Article

References (20)

1. J. R. Heath, P. J. Kuekes, G. S. Snider, R. S. Williams, Science 1998, 280, 1716.
2. K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, Langmuir 2002, 18, 4030.
3. J. Chen, M. A. Reed, Chem. Phys. 2002, 281, 127.
4. Y. Chen, J. Jung, D. Ohlberg, X. Li, D. R. Stewart, J. O. Jeppesen, K. A. Nielson, J. Stoddart, R. S. Williams, Nanotechnology 2003, 14, 462.
5. Q. Li, G. Mathur, M. Homsi, S. Surthi, V. Misra, V. Malinovskii, K.-H. Schweikart, L. Yu, J. S. Lindsey, Z. Liu, R. B. Dabke, A. Yasseri, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1494.
6. Q. Li, S. Surthi, G. Mathur, S. Gowda, T. A. Sorenson, R. C. Tenent, W. G. Kuhr, S.-I. Tamaru, J. S. Lindsey, Z. Liu, D. F. Bocian, V. Misra, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 198.
7. K. M. Roth, J. S. Lindsey, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, Langmuir 2002, 18, 4030.
8. K. M. Roth, A. A. Yasseri, Z. Liu, R. B. Dabke, V. Malinovskii, K. Schweikart, L. Yu, H. Tiznado, F. Zaera, J. S. Lindsey, W. G. Kuhr, D. F. Bocian, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 505.
9. D. T. Gryko, F. Zhao, A. A. Yasseri, K. M. Roth, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, J. S. Lindsey, J. Org. Chem. 2000, 65, 7356.
10. I. Willner, B. Willner, Pure Appl. Chem. 2001, 73, 535.
11. Y. Kashiwagi, K. Uchiyama, F. Kurashima, J. Anzai, T. Osa, Anal. Sci. 1999, 15, 907.
12. D. M. Collard, M. A. Fox, Langmuir 1991, 7, 1192.
13. A. E. Kasmi, J. M. Wallace, E. F. Bowden, S. M. Binet, R. J. Linderman, J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 225.
14. H. Imahori, H. Norieda, H. Yamada, Y. Nishimura, I. Yamazaki, Y. Sakata, S. Fukuzumi, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 100.
15. J. Xu, C. Wang, H. Chen, Anal. Sci. 2001, 16, 231.
16. H. Kuramitz, K. Sugawara, M. Kawasaki, K. Hasebe, H. Nakamura, S. Tanaka, Anal. Sci. 1999, 15, 589.
17. A. J. Bard, L. R. Faulkner, Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, John Wiley & Sons, New York 1980, Ch. 10.7.
18. D. Gryko, J. Li, J. R. Diers, K. M. Roth, D. F. Bocian, W. G. Kuhr, J. S. Lindsey, J. Mater. Chem. 2001, 11, 1162.
19. L. H. Dubois, R. G. Nuzzo, Annu. Rev. Phys. Chem. 1992, 43, 437.
20. C. H. Choi, D.-J. Liu, J. W. Evans, M. S. Gordon, J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8730.