Ferroelectric and dielectric properties of Nd3+/Zr4+ cosubstituted Bi4Ti3O12 thin films

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 10, 2007, Pages

  Zhong, X L ^a   Wang, J B ^b   Liao, M ^b   Sun, L Z ^b   Shu, H B ^b   Tan, C B ^b   Zhou, Y C ^a  

^a XIANGTAN UNIVERSITY   (China)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CURRENT DENSITY; DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES; FERROELECTRIC MATERIALS; LEAKAGE CURRENTS; NEODYMIUM COMPOUNDS;

ANNEALING TEMPERATURE; CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION; COERCIVE FIELD; REMNANT POLARIZATION;

THIN FILMS;

EID: 33947151657     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2711415     Document Type: Article

References (17)

1. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999).
2. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
3. T. Watanabe, A. Saiki, K. Saito, and H. Funakubo, J. Appl. Phys. 89, 3934 (2001).
4. U. Chon, G.-C. Yi, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 78, 658 (2001).
5. U. Chon, K.-B. Kim, H. M. Jang, and G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 79, 3137 (2001).
6. U. Chon, J. S. Shim, and H. M. Jang, J. Appl. Phys. 93, 4769 (2003).
7. U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 89, 087601 (2002).
8. S. T. Zhang, Y. F. Chen, J. Wang, G. X. Cheng, Z. G. Liu, and N. B. Ming, Appl. Phys. Lett. 84, 3660 (2004).
9. X. S. Wang and H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 82, 2479 (2003).
10. W. Li, Y. Yin, D. Su, and J. S. Zhu, J. Appl. Phys. 97, 084102 (2005).
11. H. Uchida, H. Yoshikawa, I. Okada, H. Matsuda, T. lijima, T. Watanabe, T. Kojima, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 81, 2229 (2002).
12. T. B. Wu, C. M. Wu, and M. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2659 (1996).
13. X. J. Meng, J. H. Ma, J. L. Sun, T. Lin, J. Yu, G. S. Wang, and J. H. Chu, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A78, 1089 (2004).
14. C. A. Paz de Araujo, L. D. McMillan, B. M. Melnick, J. D. Cuchiaro, and J. F. Scott, Ferroelectrics 104, 241 (1990).
15. H. J. Chang, S. H. Hwang, H. Jeon, Y. C. Kim, K. Sawada, and M. Ishida, Thin Solid Films 443, 136 (2003).
16. F. Hou and M. Shen, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. A81, 1249 (2005).
17. D. Wu, A. D. Li, and N. B. Ming, J. Appl. Phys. 95, 4275 (2004).