Analysis of strain relaxation in GaAsInGaAsGaAs structures by spectroscopy of relaxation-induced states

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 3, 2007, Pages

  Chen, J F ^a   Chiang, C H ^a   Hsieh, P C ^a   Wang, J S ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CARRIER MOBILITY; ELECTRON TRAPS; RELAXATION PROCESSES; STRAIN;

LOGARITHMIC FUNCTIONS; STRAIN RELAXATION;

GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 33847145805     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2433771     Document Type: Article

References (28)

1. J. W. Mattews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
2. W. D. Laidig, C. K. Peng, and Y. F. Lin, J. Vac. Sci. Technol. B 2, 181 (1984).
3. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
4. N. G. Anderson, W. D. Laidig, and Y. F. Lin, J. Electron. Mater. 14, 187 (1985).
5. I. J. Fritz, P. L. Gourley, and L. R. Dawson, Appl. Phys. Lett. 51, 1004 (1987).
6. I. J. Fritz, S. T. Picraux, L. R. Dawson, and T. J. Drummond, Appl. Phys. Lett. 46, 967 (1985).
7. M. J. Joyce, M. Galand, and J. Tann, J. Appl. Phys. 65, 1377 (1989).
8. J. F. Chen, P. Y. Wang, J. S. Wang, N. C. Chen, X. J. Guo, and Y. F. Chen, J. Appl. Phys. 87, 1251 (2000).
9. P. Y. Wang, J. F. Chen, J. S. Wang, N. C. Chen, and Y. S. Chen, J. Appl. Phys. 85, 2985 (1999).
10. J. F. Chen, P. Y. Wang, J. S. Wang, C. Y. Tsai, and N. C. Chen, J. Appl. Phys. 87, 1369 (2000).
11. Y. Uchida, H. Kakibayashi, and S. Goto, J. Appl. Phys. 74, 6720 (1993).
12. G. P. Watson, D. G. Ast, T. J. Anderson, B. Pathangey, and Y. Hayakawa, J. Appl. Phys. 71, 3399 (1992).
13. A. Y. Du, M. F. Li, T. C. Chong, K. L. Teo, W. S. Lau, and Z. Zhang, Appl. Phys. Lett. 69, 2849 (1996).
14. S. Dhar, U. Das, and P. K. Bhattacharary, J. Appl. Phys. 60, 639 (1986).
15. W. R. Buchwald, J. H. Zhao, M. Harmartz, and E. H. Poindexter, Solid-State Electron. 36, 1077 (1993).
16. T. Wosinski, J. Appl. Phys. 65, 1566 (1989).
17. O. Yastrubchak, T. Wosinski, A. Makosa, T. Figielski, and A. L. Toth, Physica B 308, 757 (2001).
18. J. M. Langer and H. Heinrich, Phys. Rev. Lett. 55, 1414 (1985).
19. P. Krispin, J.-L. Lazzari, and H. Kostial, J. Appl. Phys. 84, 6135 (1998).
20. J. S. Wang, J. F. Chen, J. L. Huang, P. Y. Wang, and X. J. Guo, Appl. Phys. Lett. 77, 3027 (2000).
21. J. F. Chen, R. S. Hsiao, W. D. Huang, Y. H. Wu, L. Chang, J. S. Wang, and J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett. 88, 233113 (2006).
22. G. M. Martin and A. M. Mitonneau, Electron. Lett. 13, 191 (1977).
23. D. C. Look, Thin Solid Films 231, 61 (1993).
24. A. C. Irvine and D. W. Palmer, Phys. Rev. Lett. 68, 2168 (1992).
25. P. W. Yu, G. D. Robinson, J. R. Sizelove, and C. E. Stutz, Phys. Rev. B 49, 4689 (1994).
26. J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and B. Sermage, Phys. Rev. B 31, 8298 (1985).
27. S. Y. Chiang and G. E. Pearson, J. Lumin. 10, 313 (1975).
28. I. Ohbu, M. Takahama, and K. Hiruma, Appl. Phys. Lett. 61, 1679 (1992).