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Volumn 866, Issue , 2006, Pages 253-256

Plasma immersion ion implantation applied to P+N junction solar cells

Author keywords

N type Silicon; Plasma immersion ion implantation; Shallow junction; Solar cells

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EID: 33846945433     PISSN: 0094243X     EISSN: 15517616     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1063/1.2401507     Document Type: Conference Paper
Times cited : (8)

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    • D Lenoble Thesis, Etude, realisation et integration de jonctions P+N ultra fines pour les technologies CMOS infeieures à 0, 18μm. Soutenue en 2000
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    • + dans du Silicium par faisceaux d'ion et immersion plasma. Soutenue en 2004
    • + dans du Silicium par faisceaux d'ion et immersion plasma. Soutenue en 2004


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.