Effect of vanadium content on remanent polarization in bismuth titanate thin films prepared by liquid source misted chemical deposition

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 4, 2007, Pages

  Kim, Tai Suk ^a   Kim, Ki Woong ^a   Jeon, Min Ku ^a   Jung, Chang Hwa ^a   Woo, Seong Ihl ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; DEPOSITION; FERROELECTRIC THIN FILMS; MORPHOLOGY; VANADIUM;

BISMUTH TITANATE THIN FILMS; LIQUID SOURCE MISTED CHEMICAL DEPOSITION;

BISMUTH COMPOUNDS;

EID: 33846561650     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2432226     Document Type: Article

References (29)

1. J. F. Scott and C. A. Paz De Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. Y. Xu, Ferroelectric Materials and Their Applications (Elsevier Science, Los Angeles, CA, 1991).
3. H. D. Chen, K. R. Udayadumar, C. J. Gaskey, and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 67, 3411 (1995).
4. W. G. Lee, S. I. Woo, J. C. Kim, S. H. Choi, and K. H. Oh, Appl. Phys. Lett. 63, 2511 (1993).
5. J. K. Yang, W. S. Kim, and H. H. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 7000 (2000).
6. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
7. K. Amanuma, T. Hase, and Y. Miyasaka, Appl. Phys. Lett. 66, 221 (1995).
8. R. Dat, J. K. Lee, O. Auciello, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 67, 572 (1995).
9. T. Li, Y. Zhu, S. B. Desu, C.-H. Peng, and M. Nagata, Appl. Phys. Lett. 68, 616 (1996).
10. S. E. Cummins and L. E. Cross, Appl. Phys. Lett. 10, 14 (1967).
11. P. C. Joshi and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 62, 1928 (1993).
12. Y. Noguchi and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 78, 1903 (2001).
13. E. K. Choi, S. S. Kim, J. K. Kim, J. C. Bae, W.-J. Kim, Y.-I. Lee, and T. K. Song, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 237 (2004).
14. R. E. Melgarejo, M. S. Tomar, S. Bhaskar, P. S. Dobal, and R. S. Katiyar, Appl. Phys. Lett. 81, 2611 (2002).
15. U. Chon, K. B. Kim, H. M. Jang, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 79, 3137 (2002).
16. W. Li, D. Su, J. Zhu, and Y. Wang, Solid State Commun. 131, 189 (2004).
17. M. K. Jeon, Y.-I. Kim, J. M. Sohn, and S. I. Woo, J. Phys. D 37, 2588 (2004).
18. M. K. Jeon, Y.-I. Kim, S.-H. Nahm, and S. I. Woo, J. Phys. Chem. B 109, 968 (2005).
19. M. K. Jeon, H. J. Chung, K. W. Kim, K. S. Oh, and S. I. Woo, Thin Solid Films 489, 1 (2005).
20. D.-Y. Wang, J.-S. Zhu, H. L.-W. Chan, and C.-L. Choy, Integr. Ferroelectr. 45, 161 (2002).
21. S. S. Kim, T. K. Song, J. K. Kim, and J. Kim, J. Appl. Phys. 92, 2213 (2002).
22. H. Uchida, I. Okada, H. Matsuda, T. Iijima, T. Watanabe, and H. Funakubo, Integr. Ferroelectr. 52, 41 (2003).
23. K. W. Kim, S.-W. Lee, K.-S. Han, H. J. Chung, and S. I. Woo, Electrochim. Acta 48, 4223 (2003).
24. K. W. Kim, S. I. Woo, K.-H. Choi, K.-S. Han, and Y.-J. Park, Solid State Ionics 159, 25 (2003).
25. K. W. Kim, M. R. Kim, S.-W. Lee, K.-S. Han, and S. I. Woo, Chem. Vap. Deposition 9, 187 (2003).
26. H. J. Chung, J. H. Choi, J. Y. Lee, and S. I. Woo, Thin Solid Films 382, 106 (2001).
27. R. A. Armstrong and R. E. Newnham, Mater. Res. Bull. 7, 1025 (1972).
28. Q.-Y. Tang, Y.-M. Kan, Y.-G. Li, G.-J. Zhang, and P.-L. Wang, Scr. Mater. 54, 2075 (2006).
29. G. Silversmit, D. Depla, H. Poelman, G. B. Marin, and R. De Gryse, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 135, 167 (2004).