Vertical AlGaN deep ultraviolet light emitting diode emitting at 322 nm fabricated by the laser lift-off technique

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 26, 2006, Pages

  Kawasaki, Koji ^a   Koike, Choshiro ^a   Aoyagi, Yoshinobu ^a   Takeuchi, Misaichi ^b  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b RIKEN   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; ELECTRIC CONDUCTANCE; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRODES; ULTRAVIOLET RADIATION;

CURRENT CROWDING; DIFFERENTIAL CONDUCTANCE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33846083209     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2424668     Document Type: Article

References (20)

1. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. I. Murayama, S. Nagahama, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1434 (2002).
2. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature (London) 441, 325 (2006).
3. A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R. J. Kaplar, W. W. Chow, S. R. Kurtz, K. W. Fullmer, and J. J. Figiel, Appl. Phys. Lett. 84, 3394 (2004).
4. A. A. Allerman, M. H. Crawford, A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, P. P. Provencio, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth 272, 227 (2004).
5. V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 2175 (2004).
6. J. Edmond, A. Abare, M. Bergman, J. Bharathan, K. L. Bunker, D. Emerson, K. Haberern, J. Ibbetson, Mi. Leung, P. Russel, and D. Slater, J. Cryst. Growth 272, 242 (2004).
7. K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 84, 1046 (2004).
8. A. Chitnis, J. P. Zhang, V. Adivarahan, M. Shatalov, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 82, 2565 (2003).
9. J. P. Zhang, S. Wu, S. Rai, V. Mandavilli, V. Adivarahan, A. Chitnis, M. Shatalov, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 83, 3456 (2003).
10. A. Chitnis, J. Sun, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, S. Wu, M. Gaevski, V. Adivarahan, J. P. Zhang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 3491 (2002).
11. H. W. Choi and M. D. Dawson, Appl. Phys. Lett. 86, 053504 (2005).
12. M. Shatalov, G. Simin, V. Adivarahan, A. Chitnis, S. Wu, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, K. Simin, J. P. Zhang, J. W. Yang, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5083 (2002).
13. V. Adivarahan, S. Wu, W. H. Sun, V. Mandavilli, M. S. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, H. P. Maruska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 1838 (2004).
14. D. Morita, M. Sano, M. Yamamoto, T. Murayama, S. Nagahama, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1434 (2002).
15. T. Ueda, M. Ishida, S. Tamura, Y. Fujimoto, M. Yuri, T. Saito, and D. Ueda, Phys. Status Solidi C 0, 2219 (2003).
16. B. S. Tan, S. Yuan, and X. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 84, 2757 (2004).
17. D. W. Kim, H. Y. Lee, M. C. Yoo, and G. Y. Yeom, Appl. Phys. Lett. 86, 052108 (2005).
18. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissl, D. P. Bour, P. Mei, L. T. Romano, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 77, 2822 (2000).
19. C.-F. Chu, F.-I. Lai, J.-T. Chu, C.-C. Yu, C.-F. Lin, H.-C. Kuo, and S. C. Wang, J. Appl. Phys. 95, 3916 (2004).
20. J. K. Kim, J.-L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).