Metal-insulator-semiconductor structure on low-temperature grown GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 23, 2006, Pages

  Chen, A ^a   Young, M ^a   Li, W ^a   Ma, T P ^a   Woodall, J M ^b  

^a Yale University   (United States)

^b PURDUE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITORS; DIELECTRIC MATERIALS; FERMI LEVEL; GATES (TRANSISTOR); LEAKAGE CURRENTS; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MISFET DEVICES; VAPOR DEPOSITION;

CAPACITANCE VOLTAGE CHARACTERIZATION; JET VAPOR DEPOSITION (JVD); LOW TEMPERATURE GROWN (LTG); UNPINNED FERMI LEVEL;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33845453439     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2404605     Document Type: Article

References (22)

1. T. Mimura and M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Devices 27, 1147 (1980).
2. D. N. Butcher and B. J. Sealy, Electron. Lett. 13, 558 (1977).
3. N. Yokoyama, T. Mimura, K. Odani, and M. Fukuta, Appl. Phys. Lett. 32, 58 (1978).
4. H. Hasegawa, K. E. Forward, and H. L. Hartnagel, Appl. Phys. Lett. 26, 567 (1975).
5. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. R. Kwo, IEEE Trans. Electron Devices 44, 214 (1997).
6. A. Callegari, D. K. Sadana, D. A. Buchanan, A. Paccagnella, E. D. Marshall, M. A. Tischler, and M. Norcott, Appl. Phys. Lett. 58, 2540 (1991).
7. D. S. L. Mui, D. Biswas, J. Reed, A. L. Demirel, S. Strite, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 60, 2511 (1992).
8. W. T. Tsang, Appl. Phys. Lett. 33, 426 (1978).
9. H. C. Casey, Jr., A. Y. Cho, and E. H. Nicollian, Appl. Phys. Lett. 32, 678 (1978).
10. G. D. Studtmann, R. L. Gunshor, L. A. Kolodziejski, M. R. Melloch, J. A. Cooper, Jr., R. F. Pierret, D. P. Munich, C. Choi, and N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 52, 1249 (1988).
11. M. R. Melloch, J. M. Woodall, E. S. Harmon, N. Otsuka, F. H. Pollak, D. D. Nolte, R. M. Feenstra, and M. A. Lutz, Annu. Rev. Mater. Sci. 25, 547 (1995).
12. F. W. Smith, A. R. Calawa, C. L. Chen, M. J. Manfra, and L. J. Mahoney, IEEE Electron Device Lett. 9, 77 (1988).
13. M. P. Patkar, T. P. Chin, J. M. Woodall, M. S. Lundstrom, and M. R. Melloch, Appl. Phys. Lett. 66, 1412 (1995).
14. D. D. Nolte, M. R. Melloch, S. J. Ralph, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 61, 3098 (1992).
15. S. Lodha, D. B. Janes, and N.-P. Chen, J. Appl. Phys. 93, 2772 (2003).
16. T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 45, 680 (1998).
17. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
18. A. Chen, J. M. Woodall, X. W. Wang, and T. P. Ma, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 764, 321 (2003).
19. J. M. Woodall and J. L. Freeouf, J. Vac. Sci. Technol. 19, 794 (1981).
20. T. B. Ng, D. B. Janes, D. McInturff, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 69, 3551 (1996).
21. T. P. Ma (private communication).
22. R. M. Feenstra, J. M. Woodall, and G. D. Pettit, Phys. Rev. Lett. 71, 1176 (1993).