Stress dependence of the cathodoluminescence spectrum of N-doped 3C-SiC

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 9, 2006, Pages

  Porporati, Alessandro Alan ^a   Hosokawa, Koichiro ^a   Zhu, Wenliang ^a   Pezzotti, Giuseppe ^a  

^a KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATHODOLUMINESCENCE; CRYSTAL LATTICES; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR DOPING; STRESS ANALYSIS;

CATHODOLUMINESCENCE SPECTRUM; EXCITONIC TRANSITIONS; LUMINESCENCE EMISSION;

SILICON CARBIDE;

EID: 33751084569     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2363260     Document Type: Article

References (30)

1. H. Morko̧, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. Nishino, J. A. Powell, and H. A. Will, Appl. Phys. Lett. 42, 460 (1983).
3. D. J. As, S. Potthast, J. Fernandez, K. Lischka, H. Nagasawa, and M. Abe, Microelectron. Eng. 83, 34 (2006).
4. E. Bustarret, Phys. Status Solidi A 195, 18 (2003).
5. B. G. Yacobi and D. B. Holt, Cathodoluminescence Microscopy of Inorganic Solids (Plenum, New York, 1990).
6. A. Gustafsson, M. E. Pistol, L. Montelius, and L. Samuelson, J. Appl. Phys. 84, 1715 (1998).
7. M. A. Reshchikov and H. Morko̧, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005).
8. K. Wan, A. A. Porporati, G. Feng, H. Yang, and G. Pezzotti, Appl. Phys. Lett. 88, 251910 (2006).
9. G. Pezzotti, K. Wan, M. C. Munisso, and W. Zhu, Appl. Phys. Lett. 89, 041908 (2006).
10. A. A. Porporati, Y. Tanaka, A. Matsutani, W. Zhu, and G. Pezzotti, J. Appl. Phys. (to be published).
11. L. Grabner, J. Appl. Phys. 49, 582 (1978).
12. http://www.hoya.co.jp
13. W. L. Zhu, J. L. Zhu, K. S. Wan, S. Nishino, and G. Pezzotti, Phys. Status Solidi A 203, 513 (2006).
14. T. L. Chen, X. M. Li, K. S. Wan, W. L. Zhu, and G. Pezzotti, Appl. Phys. Lett. 87, 181914 (2005).
15. G. Pezzotti, J. Raman Spectrosc. 30, 867 (1999).
16. K. Wan, W. Zhu, and G. Pezzotti, J. Appl. Phys. 98, 113101 (2005).
17. K. Wan, W. Zhu, and G. Pezzotti, Meas. Sci. Technol. 17, 181 (2006).
18. J. J. Kruzic and R. O. Ritchie, J. Am. Ceram. Soc. 86, 1433 (2003).
19. T. Fett, A. B. Kounga Njiwa, and J. Rödel, Eng. Fract. Mech. 72, 647 (2005).
20. J. M. Bonard, J. D. Ganìre, B. Akamatsu, D. Arajo, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 11, 8693 (1996).
21. K. Kanaya and S. Okayama, J. Phys. D 5, 43 (1972).
22. W. J. Choyke, D. R. Hamilton, and L. Patrick, Phys. Rev. 133, A1163 (1964).
23. W. J. Choyke and L. Patrick, Phys. Rev. 127, 1868 (1962).
24. L. A. Hemstreet, Jr. and C. Y. Fong, Phys. Rev. B 6, 1464 (1972).
25. V. A. Gubanov and C. Y. Fong, Appl. Phys. Lett. 75, 88 (1999).
26. R. P. Devaty and W. J. Choyke, Phys. Status Solidi A 162, 5 (1997).
27. A. Kakanakova-Georgieva, R. Yamikova, A. Henry, M. K. Linnarson, M. Syvähärvi, and E. Janźn, J. Appl. Phys. 91, 2890 (2002).
28. R. S. Okojie, M. Xhang, P. Pirouz, S. Tumakha, G. Jessen, and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 79, 3056 (2001).
29. Properties of Silicon Carbide, edited by, G. L. Harris, (INSPEC, Institution of Electrical Engineers, London, 1995), p. 8.
30. G. Theodorou, G. Tsegas, and E. Kaxiras, J. Appl. Phys. 85, 2179 (1999).