Luminescence properties of ZnO layers grown on Si-on-insulator substrates

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 14, 2006, Pages

  Kumar, Bhupendra ^a   Gong, Hao ^a   Vicknesh, S ^b   Chua, S J ^b   Tripathy, S ^b  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FREE EXCITONS (FX); INSULATOR SUBSTRATES; PHOTOLUMINESCENCE (PL) SPECTROSCOPY;

CRYSTAL GROWTH; MAGNETRON SPUTTERING; MICROELECTROMECHANICAL DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SCATTERING; SUBSTRATES;

ZINC OXIDE;

EID: 33749465543     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2357870     Document Type: Article

References (27)

1. Y.-Z. Yoo, T. Sekiguchi, T. Chikyow, M. Kawasaki, T. Onuma, S. F. Chichibu, J. H. Song, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 84, 502 (2004).
2. J. Ye, S. Gu, S. Zhu, T. Chen, W. Liu, F. Qin, L. Hu, R. Zhang, Y. Shi, and Y. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 979 (2003).
3. S.-H. Jeong, I.-S. Kim, J.-K. Kim, and B.-T. Lee, J. Cryst. Growth 264, 327 (2004).
4. X. M. Fan, J. S. Lian, Z. X. Guo, and H. J. Lu, Appl. Surf. Sci. 239, 176 (2005).
5. S.-H. Jeong, B.-S. Kim, and B.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003).
6. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 3270 (1998).
7. Y. Chen, N. T. Tuan, Y. Segawa, H.-J. Ko, S.-K. Hong, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 78, 1469 (2001).
8. X. Q. Zhang, Z. G. Yao, S. H. Huang, I. Suemune, and H. Kumano, Appl. Phys. Lett. 99, 063709 (2006).
9. A. Zubiaga, J. A. Garcia, F. Plazaola, F. Tuomisto, K. Saarinen, J. Zuiga P̀rez, and V. Muoz-Sanjos̀, J. Appl. Phys. 99, 053516 (2006).
10. T. Makino, C. H. Chia, N. T. Tuan, Y. Segawa, K. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 76, 3549 (2000).
11. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
12. Y. W. Chen, Y. C. Liu, S. X. Lu, C. S. Xu, C. L. Shao, C. Wang, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Chem. Phys. 0021-9606 10.1063/1.2009731 123, 134701 (2005); S. H. Lee, S. S. Lee, J.-J. Choi, J. U. Jeon, and K. Ro, Microsyst. Technol. 11, 416 (2005).
13. Y. W. Chen, Y. C. Liu, S. X. Lu, C. S. Xu, C. L. Shao, C. Wang, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Chem. Phys. 0021-9606 10.1063/1.2009731 123, 134701 (2005); S. H. Lee, S. S. Lee, J.-J. Choi, J. U. Jeon, and K. Ro, Microsyst. Technol. 11, 416 (2005).
14. A. Zeuner, H. Alves, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, A. Hoffmann, G. Kaczmarczyk, M. Heuken, A. Krost, and J. Blasing, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/1521-3951(200201)229:2<907::AID-PSSB907>3.0.CO;2-7 229, 907 (2002); C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, M. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003).
15. A. Zeuner, H. Alves, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, A. Hoffmann, G. Kaczmarczyk, M. Heuken, A. Krost, and J. Blasing, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/1521-3951(200201)229:2<907::AID-PSSB907>3.0.CO;2-7 229, 907 (2002); C. Bundesmann, N. Ashkenov, M. Schubert, M. Spemann, T. Butz, E. M. Kaidashev, M. Lorenz, and M. Grundmann, Appl. Phys. Lett. 83, 1974 (2003).
16. M. Lorenz, H. Hochmuth, J. Lenzner, T. Nobis, G. Zimmermann, M. Diaconu, H. Schmidt, H. von Wenckstern, and M. Grundmann, Thin Solid Films 486, 205 (2005).
17. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, M. Shamsa, and A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1944222 97, 124313 (2005); K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
18. K. A. Alim, V. A. Fonoberov, M. Shamsa, and A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1944222 97, 124313 (2005); K. A. Alim, V. A. Fonoberov, and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 86, 053103 (2005).
19. B. Legrand, V. Agache, J. P. Nys, V. Senez, and D. Stievenard, Appl. Phys. Lett. 76, 3271 (2000).
20. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 2nd ed., edited by, J.-P. Colinge, (Kluwer Academic, Dordrecht, 1997).
21. K. Vanheusden, C. H. Seagen, W. L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1995).
22. B. Q. Cao, W. P. Cai, and H. B. Zeng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2195694 88, 161101 (2006); Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/17/30/011 17, 4853 (2005); S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
23. B. Q. Cao, W. P. Cai, and H. B. Zeng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2195694 88, 161101 (2006); Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/17/30/011 17, 4853 (2005); S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
24. B. Q. Cao, W. P. Cai, and H. B. Zeng, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2195694 88, 161101 (2006); Q. Li, S. J. Xu, M. H. Xie, and S. Y. Tong, J. Phys.: Condens. Matter 0953-8984 10.1088/0953-8984/17/30/011 17, 4853 (2005); S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
25. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
26. V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. V. Zalamai, E. V. Rusu, G. A. Emelchenko, V. M. Masalov, and E. N. Samarov, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.155204 70, 155204 (2004)
27. V. A. Fonoberov, K. A. Alim, A. A. Balandin, F. X. Liu, and J. L. Liu, Phys. Rev. B 73, 165317 (2006).