Growth and photoluminescence studies of Al-rich AlN/Al xGa 1-xN quantum wells

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 13, 2006, Pages

  Al Tahtamouni, T M ^a   Nepal, N ^a   Lin, J Y ^a   Jiang, H X ^a   Chow, W W ^b  

^a KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALXGA1-XN; EMISSION LINEWIDTHS; SPECTRAL PEAK POSITIONS; TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE (PL);

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; EMISSION SPECTROSCOPY; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOLUMINESCENCE; POLARIZATION; QUANTUM THEORY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SPECTRUM ANALYSIS;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33749264579     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358107     Document Type: Article

References (24)

1. C. J. Collins, A. V. Sampath, G. A. Garrett, W. L. Saeney, H. Shen, M. Wraback, A. Yu. Nikiforov, G. S. Cargill, and V. Dierolf, Appl. Phys. Lett. 86, 031916 (2005).
2. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 37 (2001).
3. V. Adivarahan, S. Wu, J. P. Zhang, A. Chitnis, M. Shatalov, V. Mandavilli, R. Gaska, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 84, 4762 (2004).
4. J. P. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, S. Wu, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, M. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 4910 (2002).
5. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. Shiell, L. Gautero, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 83, 4701 (2003).
6. A. Hanlon, P. M. Pattison, J. F. Kaeding, R. Sharma, P. Fini, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L628 (2003).
7. A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R. J. Kaplar, W. W. Chow, S. R. Kurtz, K. W. Fuller, and J. J. Figiel, Appl. Phys. Lett. 84, 3394 (2004).
8. S. Wu, V. Adivarahan, M. Shatalov, A. Chitnis, W. Sun, and M. Asif Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L1035 (2004).
9. http://www.phys.ksu.edu/area/GaNgroup
10. H. S. Kim, R. A. Mair, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1252 (2000).
11. G. Coli, K. K. Bajaj, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 1829 (2001);
12. 80, 2907 (2002).
13. A. Bonfiglio, M. Lomascolo, R. Cingolani, A. Di Carlo, F. Della Sala, P. Lugli, A. Botchkarev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 87, 2289 (1999).
14. J. Wang, J. B. Jeon, M. Sirenko, and K. W. Kim, IEEE Photonics Technol. Lett. 9, 728 (1997).
15. W. Chow, M. Kira, and S. W. Koch, Phys. Rev. B 60, 1947 (1999).
16. C. H. Henry, R. A. Loganr, and F. R. Merritt, J. Appl. Phys. 51, 3042 (1980).
17. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
18. K. C. Zeng, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 3040 (2000).
19. S. H. Park and S. L. Chuang, Appl. Phys. Lett. 72, 3103 (1998).
20. J. S. Im, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholtz, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 57, R9435 (1998).
21. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
22. A. Satake, Y. Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, and M. Ikeda, Phys. Rev. B 57, R2041 (1998).
23. C. Bodin, R. Andre, J. Cibert, Le Si Dang, D. Bellet, G. Feuillet, and P. H. Jouneau, Phys. Rev. B 51, 13181 (1995).
24. N. Nepal, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 88, 062103 (2006).