Effect of the misorientation of the 4H-SiC substrate on the open volume defects in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 9, 2006, Pages

  Tengborn, E ^a,c   Rummukainen, M ^a   Tuomisto, F ^a   Saarinen, K ^a   Rudzinski, M ^b   Hageman, P R ^b   Larsen, P K ^b   Nordlund, A ^c  

^a AALTO UNIVERSITY   (Finland)

^b RADBOUD UNIVERSITY NIJMEGEN   (Netherlands)

^c CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); GALLIUM NITRIDE; GROWTH (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY;

4H-SIC SUBSTRATES; POSITRON TRAP CONCENTRATION; SUBSTRATE MISORIENTATION; VACANCY DEFECTS;

SILICON CARBIDE;

EID: 33748282726     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2338887     Document Type: Article

References (14)

1. D. J. Smith, D. Chandrasekhar, B. Sverdlov, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 67, 1830 (1995).
2. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
3. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
4. M. H. Xie, L. X. Zheng, S. H. Cheung, Y. F. Ng, H. Wu, S. Y. Tong, and N. Ohtani, Appl. Phys. Lett. 77, 1105 (2000).
5. M. H. Xie, S. M. Seutter, W. K. Zhu, L. X. Zheng, H. Wu, and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 82, 2749 (1999).
6. M. Rudzinski, P. R. Hageman, A. P. Grzegorczyk, L. Macht, T. C. Rödle, H. F. F. Jos, and P. K. Larsen, Phys. Status Solidi C 2, 2141 (2005).
7. J. Oila, V. Ranki, J. Kivioja, K. Saarinen, P. Hautojärvi, J. Likonen, J. M. Baranowski, K. Pakula, T. Suski, M. Leszczynski, and I. Grzegory, Phys. Rev. B 63, 045205 (2001).
8. K. Saarinen, P. Hautojärvi, and C. Corbel, in Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, New York, 1998), p. 209.
9. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissilä, P. Hautojärvi, L. Dobrzyniski, J. M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
10. K. Saarinen, J. Nissilä, P. Hautojärvi, J. Likonen, T. Suski, I. Grzegory, B. Lucznik, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 2441 (1999).
11. J. Oila, K. Saarinen, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, R. L. Henry, and M. E. Twigg, Appl. Phys. Lett. 82, 1021 (2003).
12. P. Laukkanen, S. Lehkonen, P. Uusimaa, M. Pessa, J. Oila, S. Hautakangas, K. Saarinen, J. Likonen, and J. Keränen, J. Appl. Phys. 92, 786 (2002).
13. E. Calleja, M. A. Sanchez-Garcia, D. Basak, F. J. Sanchez, F. Calle, P. Youinou, E. Munoz, J. J. Serrano, J. M. Blanco, C. Villar, T. Laine, J. Oila, K. Saarinen, P. Hautojärvi, C. H. Molloy, D. J. Somerford, and I. Harrison, Phys. Rev. B 58, 1550 (1998).
14. F. Tuomisto, K. Saarinen, B. Lucznik, I. Grzegory, H. Teisseyre, T. Suski, S. Porowski, P. R. Hageman, and J. Likonen, Appl. Phys. Lett. 86, 031915 (2005).