Effect of seed layer thickness on texture and electrical properties of sol-gel derived (Ba0.8Sr0.2)TiO3 thin films

Chemistry of Materials

Volumn 18, Issue 14, 2006, Pages 3343-3350

  Fu, Zhi ^a   Wu, Aiying ^a   Vilarinho, Paula M ^a  

^a UNIVERSITY OF AVEIRO   (Portugal)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; INTERFACES (MATERIALS); NUCLEATION; PERMITTIVITY; PEROVSKITE; SOL-GELS; TEXTURES;

BST FILMS; ORIENTATION GROWTH; REMANANT POLARIZATION; SOL-GEL SEED LAYERS;

THIN FILMS;

EID: 33746642550     PISSN: 08974756     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm0603349     Document Type: Article

References (26)

1. Zhu, X.; Zhu, J.; Zhou, S.; Liu, Z.; Ming, N.; Lu, S.; Chan, H. L.-W.: Choy, C.-L. J. Electron. Mater. 2003, 32, 10, 1125.
2. Baniecki, J. D.; Laibowitz, R. B.; Shaw, T. M.; Duncombe, P. R.; Neumayer, D. A.; Kotecki, D. E.; Shen, H.; Ma, Q. Y. Appt. Phys. Lett. 1998, 72, 498-500.
3. Xu, H.; Pervez, N. K.; Park, J.; Sanabria, C.; York, R. A. Presented at 17th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, Shanghai, China, April 2005.
4. Gennum Corp. Home Page, www.gennum.com/technology/ (accessed Feb 2005).
5. Streiffer, S. K.; Basceri, C.; Parker, C. B.; Lash. S. E.; Kingon, A. I. J. Appl. Phys. 1999, 86, 4565-4575.
6. Schwartz, R. W.; Clem, P. G.; Voigt, J. A.; Byhoff, E. R.; Stry, M. V.; Headley, T. J.; Missert, N. A. J. Am. Ceram. Soc. 1999, 82, 2359-2367.
7. Moon, S. E.; Kim, E.-K.; Kwark, M.-H.; Ryu, H.-C: Kim, Y.-T.; Kang, K.-Y.; Lee, S.-J.: Kim, W.-J, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2166-2168.
8. Hwang, C. S.; Joo, S. H. J. Appl. Phys. 1999, 85, 2431-2436.
9. Park, B. H.; Peterson, E. J.; Jia. Q. X. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 533-535.
10. Jeon, Y.-A.; Shin, W.-C.; Seo, T.-S.; Yoon, S.-G. J. Mater. Res. 2002, 17, 2831-2836.
11. Majumder, S. B.; Jain, M.; Martinez, A.; Katiyur, R. S. J. Appl. Phys. 2001, 90, 896-903.
12. Jeon, Y.-A.; Shin, W.-C.; Seo, T.-S.; Yoon, S.-G. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1012-1014.
13. Dawley, J. T.; Clem, P. G. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3028-3030.
14. Shaw, T. M.; Suo, Z.; Huang, M.; Liniger, E.; Laibowitz, R. B.; Baniecki, J. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2129-2131.
15. Shin, J. C.; Ark, J.; Hwang, C. S.; Kim, H. J. J. Appl. Phys. 1999, 86, 506-513.
16. Adikary, S. U.; Chan, H. L. W. Mater. Chem. Phys. 2003, 79, 157-160.
17. Jiang, S.; Zhang, H.; Lin, R.; Liu, S.; Liu, M. Integr. Ferroeleclr. 2005, 70, 1-9.
18. Ren, T.-L.: Wang, X.-N.; Liu, J.-S.; Zhao, H.-J.; Shao, T.-Q.; Liu, L.-T.; Li, Z.-J. Integr. Ferroelectr. 2002, 45, 13-21.
19. Ezhilvalavan, S.; Tseng, T.-Y. Mater. Chem. Phys. 2000, 65, 227-248.
20. Hoffman, S.; Hasenkox, U.; Waser, R.; Jia, J. L.; Urban, K. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997, 474, 9-16.
21. Langjahr, A.; Wagner, T.; Ruble, M.; Lange. F. F. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1996, 401, 109-114.
22. Chang, W.; Kirchefe, S. W.; Pond, J. M.; Horwitz, J. S.; Sengupta, L. J. Appl. Phys. 2002, 92, 1528-1535.
23. Taylor, T. R.; Lefevre, M. J.; Nagra, A. S.; York, R. A.; Spec, J. S. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 3186-3188.
24. Cheng, G.; Meng, X. J.; Tang, J.; Lou, S. L.; Chu, J. H. Appl. Phys. A 2000, 70, 411-414.
25. Velu, G.; Carru, J. C.; Cattan, E.; Remiens, D.; Melique, X.; Lippen, D. Ferroelectrics 2003, 288, 59-69.
26. Yi, W.-C.; Kalkur, T. S.; Philofsky, E.; Kammerdiner, L. Thin Solid Films 2002, 402, 307-310.