Dielectric and electrical properties of sputter grown (Ba,Sr)TiO3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 1, 1999, Pages 506-513

  Shin, Ju Cheol ^a   Park, Jaehoo ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Kim, Hyeong Joon ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; CAPACITANCE; CURRENT DENSITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY OF SOLIDS; ELECTRIC FIELDS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SPUTTER DEPOSITION; THIN FILMS;

CAPACITANCE VOLTAGE VARIATIONS; CURRENT DENSITY-ELECTRIC FIELD VARIATIONS;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0032606532     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.370759     Document Type: Article

References (21)

1. C. S. Kang, H. J. Cho, C. S. Hwang, B. T. Lee, K. H. Lee, H. Horii, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 6846 (1997).
2. C. S. Hwang, S. O. Park, C. S. Kang, H. J. Cho, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 67, 2819 (1995).
3. G. W. Dietz and R. Waser, Thin Solid Films 299, 53 (1997).
4. R. A. van der berg, P. W. M. Blom, J. F. M. Cillessen, and R. M. Wolf, Appl. Phys. Lett. 66, 697 (1995).
5. C. S. Hwang, B. T. Lee, S. O. Park, C. S. Kang, H. J. Cho, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Integr. Ferroelectr. 13, 157 (1996).
6. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1988), p. 89.
7. P. Hesto, in Instabilities in Silicon Devices: Silicon Passivation and Related Instabilities, edited by G. Barbottin and A. Vapaille (Elsevier Science, New York, 1986), p. 306.
8. S. K. Dey, J-J. Lee, and P. Alluri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3142 (1995).
9. G. W. Dietz, M. Schumacher, R. Waser, S. K. Streiffer, C. Basceri, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 82, 2359 (1997).
10. C. S. Hwang, Mater. Sci. Eng., B 56, 178 (1998).
11. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, J. W. Kim, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, Y. B. Noh, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 83, 3703 (1998).
12. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee, and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999).
13. F. K. Chai, J. R. Brews, R. D. Schrimf, and D. P. Birnie III, J. Appl. Phys. 78, 4766 (1995).
14. F. K. Chai, J. R. Brews, R. D. Schrimf, and D. P. Birnie III, J. Appl. Phys. 82, 2517 (1997).
15. S. O. Park, C. S. Hwang, H. J. Cho, C. S. Kang, H-K. Kang, K. I. Lee, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1548 (1996).
16. K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzimi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, Proceedings of the International Electron Devices Meeting (IEEE, New York, 1998), p. 807.
17. K. Natori, D. Otani, and M. Sano, Appl. Phys. Lett. 73, 632 (1998).
18. O. G. Vendik, S. P. Zubko, and L. T. Ter-Martirosayn, Appl. Phys. Lett. 73, 37 (1998).
19. S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology (Wiley, New York, 1985), p. 83.
20. J. M. Shannon, Solid-State Electron. 19, 537 (1976).
21. S. Gasiorowicz, Quantum Physics (Wiley, New York, 1974), p. 86.