GaN microcavity structure with dielectric distributed Bragg reflectors fabricated by using a wet-chemical etching of a (111) Si substrate

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 4, 2006, Pages

  Kim, T K ^a   Yang, S S ^a   Son, J K ^a   Hong, Y G ^a   Yang, G M ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; ETCHING; MIRRORS; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SILICON;

CAVITY RESONANCE; GAN MICROCAVITY STRUCTURE; REFLECTIVITY SPECTRA; WET-CHEMICAL ETCHING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33746623787     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2236223     Document Type: Article

References (17)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L797 (1995).
2. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 70, 868 (1997).
4. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
5. T. Someya, R. Werner, A. Forchel, M. Catalano, and Y. Arakawa, Science 285, 1905 (1999).
6. Y.-K. Song, H. Zhou, M. Diagne, A. V. Nurimikko, R. P. Schneider, Jr., C. P. Kuo, A. R. Krames, R. S. Kern, C. Carter-Coman, and F. A. Kish, Appl. Phys. Lett. 76, 1662 (2000).
7. T. Kim, R. W. Martin, I. M. Watson, M. D. Dawson, T. F. Krauss, J. H. Marsh, and R. M. D. L. Rue, Mater. Sci. Eng., B 82, 245 (2001).
8. T. Tawara, H. Gotoh, T. Akasaka, N. Kobayashi, and T. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 83, 830 (2003).
9. S. H. Park, J. H. Kim, H. S. Jeon, T. Sakong, S. N. Lee, S. H. Chae, Y. Park, C. H. Jeong, G. Y. Yeom, and Y. H. Cho, Appl. Phys. Lett. 83, 2121 (2003).
10. C.-C. Kao, Y. C. Peng, H. H. Yao, J. Y. Tsai, Y. H. Chang, J. T. Chu, H. W. Huang, T. T. Kao, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 081105 (2005).
11. Y.-K. Song, M. Diagne, H. Zhou, A. V. Nurmikko, R. P. Schneider, Jr., and T. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 77, 1744 (2000).
12. T. Tawara, H. Gotoh, T. Akasaka, N. Kobayashi, and T. Saitoh, Phys. Rev. Lett. 92, 256402 (2004).
13. X. H. Zhang, S. J. Chua, W. Liu, L. S. Wang, A. M. Yong, and S. Y. Chow, Appl. Phys. Lett. 88, 191111 (2006).
14. T. Shirsawa, N. Mochidda, A. Inoue, T. Sakaguchi, F. Koyama, and K. Iga, J. Cryst. Growth 189, 124 (1998).
15. T. Someya and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 73, 3653 (1998).
16. E. Feltin, R. Butte, J.-F. Carlin, J. Dorsaz, N. Grandjean, and M. Ilegems, Electron. Lett. 41, 94 (2005).
17. T. Fujimori, H. Imai, A. Wakahara, H. Okada, A. Yoshida, T. Shibata, and M. Tanaka, J. Cryst. Growth 272, 381 (2004).