Electrical transport through individual nanowires with transverse grain boundaries

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 2, 2006, Pages

  Xue, X Y ^a   Feng, P ^a   Wang, C ^a   Chen, Y J ^a   Wang, Y G ^a   Wang, T H ^b  

^a HUNAN UNIVERSITY   (China)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER HEIGHT; BIAS RANGE; NANOWIRES; TRANSVERSE GRAIN BOUNDARY;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC RESISTANCE; ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; GRAIN BOUNDARIES; MICROSTRUCTURE; NANOTECHNOLOGY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33746092463     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2221408     Document Type: Article

References (24)

1. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
2. J. J. Liu, M. H. Yu, and W. L. Zhou, Appl. Phys. Lett. 87, 172505 (2005).
3. X. Y. Xue, Y. J. Chen, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 233101 (2005).
4. Y. J. Chen, M. S. Cao, T. H. Wang, and Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 84, 3367 (2004).
5. Y. J. Chen, Q. H. Li, Y. X. Liang, T. H. Wang, Q. Zhao, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 5682 (2004).
6. Y. J. Chen, X. Y. Xue, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 233503 (2005).
7. S. Q. Li, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 143104 (2005).
8. H. Y. Yu, B. H. Kang, U. H. Pi, C. W. Park, S. Y. Choi, and G. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 253102 (2005).
9. J. Muster, G. T. Kim, V. Krstic. J. G. Park, Y. W. Park, S. Roth, and M. Burghard, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 420 (2000).
10. J. F. Liu, Q. H. Li, T. H. Wang, Y. D. Peng, and Y. D. Li, Angew. Chem., Int. Ed. 43, 5048 (2004).
11. M. D. Wei, H. Sugihara, I. Honma, M. Ichihara, and H. S. Zhou, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 17, 2964 (2005).
12. W. Chen, J. F. Peng, L. Q. Mai, H. Yu, and Y. Y. Qi, Solid State Commun. 123, 513 (2004).
13. B. S. Guiton, Q. Gu, A. L. Prieto, M. S. Gudiksen, and H. K. Park, J. Am. Chem. Soc. 127, 498 (2005).
14. X. C. Wu, Y. R. Tao, L. Dong, Z. H. Wang, and Z. Hu, Mater. Res. Bull. 40, 315 (2005).
15. Z. Gui, R. Fan, W. Mo, X. Chen, L. Yang, S. Zhang, Y. Hu, Z. Wang, and W. Fan, Chem. Mater. 14, 5053 (2002).
16. S. Zhang, L. M. Peng, Q. Chen, G. H. Du, G. Dawson, and W. Z. Zhou, Phys. Rev. Lett. 91, 256103 (2003).
17. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84. 4556 (2004).
18. Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, 6389 (2004).
19. M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Dwppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002).
20. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, and J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 85, 3107 (2004).
21. T. W. Hichmott, P. M. Solomon, R. Fischer, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 57, 2844 (1985).
22. H. W. Li and T. H. Wang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 73, 615 (2001).
23. X. Y. Xue, Y. J. Chen, Q. H. Li, C. Wang, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 88, 182102 (2006).
24. C. S. Lao, J. Liu, P. X. Gao, L. Y. Zhang, D. Davidovic, R. Tummala, and Z. L. Wang, Nano Lett. 6, 263 (2006).