Electronic transport characteristics through individual ZnSn O3 nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 18, 2006, Pages

  Xue, X Y ^a   Chen, Y J ^a   Li, Q H ^a   Wang, C ^a   Wang, Y G ^a   Wang, T H ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; EVAPORATION; GRAIN BOUNDARIES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SYNTHESIS (CHEMICAL); THERMAL EFFECTS;

BARRIER HEIGHT; NONLINEAR CURRENT-VOLTAGE (I-V) CHARACTERISTICS; ONE-STEP THERMAL EVAPORATION METHOD;

ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES;

EID: 33646506218     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2199612     Document Type: Article

References (22)

1. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
2. Y. J. Chen, M. S. Cao, T. H. Wang, and Q. Wan, Appl. Phys. Lett. 84, 3367 (2004).
3. Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 85, 6389 (2004).
4. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
5. Y. J. Chen, Q. H. Li, Y. X. Liang, T. H. Wang, Q. Zhao, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 85, 5682 (2004).
6. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3085 (2004).
7. J. J. Liu, M. H. Yu, and W. L. Zhou, Appl. Phys. Lett. 87, 172505 (2005).
8. M. T. Bjork, B. J. Ohlsson, T. Sass, A. I. Persson, C. Thelander, M. H. Magnusson, K. Dwppert, L. R. Wallenberg, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002).
9. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, and J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 85, 3107 (2004).
10. S. J. An, W. Park, G. C. Yi, Y. J. Kim, H. B. Kang, and M. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 3612 (2004).
11. X. Y. Xue, Y. J. Chen, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 233101 (2005).
12. P. X. Gao and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 106, 12653 (2002).
13. J. X. Wang, S. S. Xie, H. J. Yuan, X. Q. Yan, D. F. Liu, Y. Gao, Z. P. Zhou, L. Song, L. F. Liu, X. W. Zhao, X. Y. Dou, W. Y. Zhou, and G. Wang, Solid State Commun. 131, 435 (2004).
14. J. S. Jie, G. Z. Wang, X. H. Han, J. P. Fang, Y. Liao, B. Xu, Q. T. Wang, J. G. Hou, and Q. X. Yu, J. Phys. Chem. B 108, 8249 (2004).
15. D. Kovacheva and K. Petrov, Solid State Ionics 109, 327 (1998).
16. W. J. Moon, J. H. Yu, and G. M. Choi, Sens. Actuators B 80, 21 (2001).
17. S. Y. Sheng and Z. T. Shu, Sens. Actuators B 12, 5 (1993).
18. X. F. Duan and C. M. Liber, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 298 (2000).
19. Y. Zhang, N. Wang, S. Gao, R. He, S. Miao, J. Liu, J. Zhu, and X. Zhang, Chem. Mater. 14, 3564 (2002).
20. H. W. Li and T. H. Wang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 73, 615 (2001).
21. T. W. Hichmott, P. M. Solomon, R. Fischer, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 57, 2844 (1985).
22. L. S. Huang, S. G. Yang, T. Li, B. X. Gu, Y. W. Du, Y. N. Lu, and S. Z. Shi, J. Cryst. Growth 260, 130 (2004).