Higher lying conduction band in GaN and AlN probed by photoluminescence spectroscopy

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 26, 2006, Pages

  Nepal, N ^a   Nam, K B ^a   Li, J ^a   Nakarmi, M L ^a   Lin, J Y ^a   Jiang, H X ^a  

^a KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND EDGE EMISSIONS; CONDUCTION BAND; EPILAYERS; FREE CARRIERS;

ACTIVATION ENERGY; ALUMINUM NITRIDE; CHARGE CARRIERS; EXCITONS; PHOTOLUMINESCENCE; SPECTROSCOPIC ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33745603260     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2217160     Document Type: Article

References (20)

1. M. Ilegems, R. Dingle, and R. A. Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972).
2. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Yang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
3. C. I. Harris, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 840 (1995).
4. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S. H. Wei, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
5. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. A. Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Wang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
6. D. C. Reynold, D. C. Look, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoc, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
7. A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, and C. H. Hong, J. Appl. Phys. 84, 3848 (1998).
8. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and A. Khan, Appl. Phys. Lett. 71, 635 (1997).
9. K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and W. Yang, Appl. Phys. Lett. 74, 3821 (1999).
10. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003).
11. J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang, P. Carrier, and S. H. Wei, Appl. Phys. Lett. 83, 5163 (2003).
12. E. G. Brazel, M. A. Chin, V. Narayanamurti, D. Kapolnek, E. J. Tarsa, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 70, 330 (1997).
13. http://www.phys.ksu.edu/area/GaNgroup
14. S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, and I. B. Ortenburger, Phys. Status Solidi B 66, 161 (1974).
15. W. R. L. Lambrecht, B. Segall, J. Rife, W. R. Hunter, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13516 (1995).
16. J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).
17. M. Wraback, H. Shen, J. C. Carrano, T. Li, J. C. Campbell, M. J. Schurman, and I. T. Ferguson, Appl. Phys. Lett. 76, 1155 (2000).
18. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
19. R. Brazis and R. Raguotis, Appl. Phys. Lett. 85, 609 (2004).
20. C. Y. Yeh, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 50, 2715 (1994).