Optical properties of a high-quality insulating GaN epilayer

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 25, 1999, Pages 3821-3823

  Zeng, K C ^a   Lin, J Y ^a   Jiang, H X ^a   Yang, Wei ^b  

^a KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

^b HONEYWELL TECHNOLOGY CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; ELECTRON TRANSITIONS; EMISSION SPECTROSCOPY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES;

GALLIUM NITRIDE;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0032607007     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.124191     Document Type: Article

References (15)

1. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. G. D. Chen, M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, S.-H. Wei, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 68, 2784 (1996).
3. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, and C. J. Sun, Appl. Phys. Lett. 67, 3295 (1995).
4. W. Shan, T. J. Schmidt, R. J. Haustein, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 3492 (1995).
5. C. I. Harris, B. Monemar, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 840 (1995).
6. M. Smith, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 71, 635 (1997).
7. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995); M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang. M. Asif Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
8. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995); M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang. M. Asif Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
9. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, A. Ozgur, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
10. W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996).
11. N. V. Edwards, S. D. Yoo, M. D. Bremser, T. W. Weeks, Jr., O. H. Nam, R. F. Davis, H. Liu, R. A. Stall, M. N. Horton, N. R. Perkins, T. F. Kuech, and D. E. Aspnes, Appl. Phys. Lett. 70, 2001 (1997).
12. R. A. Abram, G. J. Rees, and B. L. H. Wilson, Adv. Phys. 27, 799 (1978).
13. C.-K. Sun, S. Keller, G. Wang, M. S. Minsky, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 69, 1936 (1996).
14. D. J. Wolford, G. D. Gilliland, T. F. Kuech, L. M. Smith, J. Martinsen, J. A. Bradley, C. F. Tsang, R. Venkatasubramanian, S. K. Ghandi, and H. P. Hjalmarson, J. Vac. Sci. Technol. B 9 (1991).
15. R. K. Ahrenkiel, in Semiconductors and Semimetals (Academic, Boston, 1993), Vol. 39, Chap. 2.