Microstructure of thick AlN grown on sapphire by high-temperature MOVPE

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 7, 2006, Pages 1626-1631

  Imura, M ^a   Nakano, K ^a   Kitano, T ^a   Fujimoto, N ^a   Okada, N ^a   Balakrishnan, K ^a   Iwaya, M ^a   Kamiyama, S ^a   Amano, H ^a   Akasaki, I ^a   Shimono, K ^b   Noro, T ^b   Takagi, T ^b   Bandoh, A ^c  

^a MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

^b IBIDEN CO LTD   (Japan)

^c Showa Denko Materials Co   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALN LAYERS; PEAK ENERGIES; SAPPHIRE SUBSTRATES;

DISLOCATIONS (CRYSTALS); EXCITONS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MICROSTRUCTURE; SAPPHIRE;

ALUMINUM NITRIDE;

EID: 33745013705     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200565401     Document Type: Article

References (14)

1. T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, M. Mouri, M. Tanaka, O. Oda, H. Katsukawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu, phys. stat. sol. (c) 0, 2023 (2003).
2. Q. Paduano and D. Weyburne, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L150 (2005).
3. F. A. Ponce, D. Cherns, W. T. Young, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 770 (1996).
4. D. M. Follstaedt, N. A. Missert, D. D. Koleske, C. C. Mitchell, and K. C. Cross, Appl. Phys. Lett. 83, 4797 (2003).
5. P. B. Perry and R. F. Rutz, Appl. Phys. Lett. 33, 319 (1978).
6. X. Tang. F. Hossain, K. Wongchotigul, and M. G. Spencer, Appl. Phys. Lett. 72, 1501 (1998).
7. J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 5163 (2003).
8. K. Jeganathan, T. Kitamura, M. Shimizu, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L28 (2002).
9. L. Chen, B. J. Skromme, R. F. Dalmau, R. Schlesser, Z. Sitar, C. Chen, W. Sun, J. Yang, M. A. Khan, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H.-X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 4334 (2004).
10. T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Sato, K. Asai, S. Sumiya, T. Shibata, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 81, 652 (2002).
11. E. Kuokstis, J. Zhang, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Shimin, M. Asif Khan, R. Gaska, M. Shur, C. Roji, and L. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002).
12. J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, E. Silveira, J. G. Tischler, and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 83, 2584 (2003).
13. K. B. Nam, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 3489 (2004).
14. E. Silveira, J. A. Freitas, Jr., M. Kneissl, D. W. Treat, N. M. Johnson, G. A. Slack, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 84, 3501 (2004).