Modification of Ge2Sb2Te5 by the Addition of SiOx for improved operation of phase change random access memory

Materials Research Society Symposium Proceedings

Volumn 888, Issue , 2006, Pages 137-142

  Noh, Jin Seo ^a   Suh, Dong Seok ^a   Lee, Sang Mock ^a   Kim, Kijoon H P ^a   Shin, Woong Chul ^a   Lee, Eunhye ^a   Kang, Youn Seon ^a   Park, Ju Cheol ^a   Kim, Ki Hong ^a   Khang, Yoonho ^a  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE MATERIALS; DEPOSITION; GRAIN SIZE AND SHAPE; IMAGE PROCESSING; SILICON COMPOUNDS; SPUTTERING;

CO-SPUTTERING TECHNIQUES; CRYSTALLIZATION TEMPERATURE; MELTING POINT;

GERMANIUM COMPOUNDS;

EID: 33646205876     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper

References (8)

1. S. Lai, IEDM Tech. Dig., 255 (2003)
2. W. Y. Cho, B. H. Cho, B. G. Choi, H. R. Oh, S. B. Kang, K. S. Kim, K. H. Kim, D. E. Kim, C. H. Kwak, H. G. Byun, Y. N. Hwang, S. J. Ahn, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim, IEEE Journal of Solid-State Circuits 40, 293 (2005).
3. A. Pirovano, A. L. Lacaita, A. Benvenuti, F. Pellizzer, and F. Bez, IEDM Tech. Dig., 699 (2003).
4. Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. J. Ahn, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, H. S. Hong, H. C. Koo, F. Yeung, J. H. Oh, H. J. Kim, W. C. Jeong, J. H. Park, H. Horii, Y. H. Ha, J. H. Yi, G. H. Koh, G. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim, IEDM Tech. Dig., 893 (2003).
5. F. Pellizzer, A. Pirovano, F. Ottogalli, M. Magistretti, M. Scaravaggi, P. Zuliani, M. Tosi, A. Benvenuti, P. Besana, S. Cadeo, T. Marangon, R. Morandi, R. Piva, A. Spandre, R. Zonca, A. Modelli, E. Varesi, T. Lowrey, A. Lacaita, G. Casagrande, P. Cappelletti, and R. Bez, Symp. on VLSI Tech., 18 (2004).
6. G. H. Koh, Y. N. Hwang, S. H. Lee, S. Y. Lee, K. C. Ryoo, J. H. Park, Y. J. Song, S. J. Ahn, C. W. Jeong, F. Yeung, Y. T. Kim, J. B. Park, J. T. Jeong, H. S. Jeong, and K. Kim, IEEE Int. Conf. on Integrated Circuit Design and Technology, 53 (2004).
7. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, and M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 42, 404 (2003).
8. H. Horii, J. H. Yi, J. H. Park, Y. H. Ha, I. G. Baek, S. O. Park, Y. N. Hwang, S. H. Lee, Y. T. Kim, K. H. Lee, U. I. Chung, and J. T. Moon, Symp. on VLSI Tech., 177 (2003).