Growth of gallium nitride nanorods by metalorganic molecular beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 2, 2006, Pages 695-699

  Kuo, Shou Yi ^a   Kei, C C ^a   Hsiao, C N ^a   Chao, C K ^b  

^a INSTRUMENT TECHNOLOGY RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENERGY DISPERSIVE SPECTROSCOPY; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

METALORGANIC MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANORODS; TEMPLATE LAYERS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645519217     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2172252     Document Type: Article

References (30)

1. C. N. R. Rao and A. K. Cheethem, J. Mater. Chem. 11, 2887 (2001).
2. C. C. Chen, J. Am. Chem. Soc. 123, 2791 (2001).
3. Y. Wu and P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 123, 3165 (2001).
4. G. S. Cheng, L. D. Zhang, Y. Zhu, G. T. Fei, L. Li, C. M. Mo, and Y. Q. Mao, Appl. Phys. Lett. 75, 2455 (1999).
5. J. T. Hu, T. W. Odom, and C. Lieber, Acc. Chem. Res. 32, 435 (1999).
6. Y. Wu and P. Yang, Chem. Mater. 12, 605 (2000).
7. M. Yazawa, M. Koguchi, A. Muto, M. Ozawa, and K. Hiruma, Appl. Phys. Lett. 61, 2051 (1992).
8. X. Duan and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 122, 188 (2000).
9. M. S. Gudiksen and C. M. Lieber, J. Am. Chem. Soc. 122, 8801 (2000).
10. J. Y. Li, X. L. Chen, H. Li, M. He, and Z. Y. Qiao, J. Cryst. Growth 233, 5 (2001).
11. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
12. H. Morkoc and S. N. Mohammad, Science 267, 51 (1995).
13. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
14. X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Nature (London) 421, 241 (2003).
15. Y. Li, X. L. Chen, Z. Y. Qiao, Y. G. Cao, and Y. C. Lan, J. Cryst. Growth 213, 408 (2000).
16. S. Sharma and M. K. Sumkara, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 703 (2002).
17. J. Zhang, L. D. Zhang, X. F. Wang, C. H. Liang, X. S. Peng, and Y. W. Wang, J. Chem. Phys. 115, 5714 (2001).
18. G. S. Cheng, S. H. Chen, X. G. Zhu, Y. Q. Mao, and L. D. Zhang, Mater. Sci. Eng., A 208, 165 (2000).
19. C. C. Tang, S. S. Fan, H. Y. Dang, P. Li, and Y. M. Lin, Appl. Phys. Lett. 77, 1961 (2000).
20. W. Q. Han and A. Zettl, Appl. Phys. Lett. 80, 303 (2002).
21. M. He, P. Zhou, S. N. Mohammad, G. L. Harris, J. B. Halpern, R. Jacobs, W. L. Sarney, and L. S. Riba, J. Cryst. Growth 231, 357 (2001).
22. J. Zhag, L. Zhang, X. Peng, and X. Wang, J. Mater. Chem. 12, 802 (2002).
23. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
24. M. A. L. Johnson, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 271 (1997).
25. J. M. Van Hove, G. Carpenter, E. Nelson, A. Wowchak, and P. P. Chow, J. Cryst. Growth 164, 154 (1996).
26. M. A. L. Johnson, N. A. El-Masry, Jr., J. W. Cook, Jr., and J. F. Schetzina, Proceedings Silicon Carbide, III-Nitrides, and Related Materials Ozleleoziuo 1998, Vol. 264, p. 1161.
27. D. A. Neumayer and J. G. Ekerdt, Chem. Mater. 8, 9 (1996).
28. L. X. Zhao, G. W. Meng, X. S. Peng, X. Y. Zhang, and L. D. Zhang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74, 587 (2002).
29. H. M. Kim, T. W. Kang and K. S. Chung, J. Ceram. Proc. Res. 5, 241 (2004).
30. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. D. Yang, Science 292, 1897 (2003).