Formation of ultrasharp vertically aligned Cu-Si nanocones by a DC plasma process

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 10, 2006, Pages 4766-4771

  Klein, K L ^a,b   Melechko, A V ^a,b   Fowlkes, J D ^a,b   Rack, P D ^b   Hensley, D K ^a   Meyer III, H M ^a   Allard, L F ^a   McKnight, T E ^a   Simpson, M L ^a,b  

^a OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b University of Tennessee Knoxville   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER; PLASMAS; SILICON COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS; THERMAL EFFECTS; TITANIUM;

CU-SI NANOCONES; DC PLASMA PROCESS; SI SUBSTRATES; SUBSTRATE TOPOGRAPHY;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 33645504748     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp0564997     Document Type: Article

References (27)

1. Cui, H.; Kalinin, S. V.; Yang, X.; Lowndes, D. H. Nano Lett. 2004, 4, 2157.
2. McKnight, T. E.; Melechko, A. V.; Griffin, G. D.; Guillorn, M. A.; Merkulov, V. I.; Sema, F.; Hensley, D. K.; Doktycz, M. J.; Lowndes, D. H.; Simpson, M. L. Nanotechnology 2003, 14, 551.
3. McKnight, T. E.; Melechko, A. V.; Hensley, D. K.; Mann, D. G. J.; Griffin, G. D.; Simpson, M. L. Nano Lett. 2004, 4, 1213
4. Guillorn, M. A.; Yang, X.; Melechko, A. V.; Hensley, D. K.; Hale, M. D.; Merkulov, V. I.; Simpson, M. L.; Baylor, L. R.; Gardner, W. L.; Lowndes, D. H. J. Vac. Sci. Technol., B 2004, 22, 35.
5. Merkulov, V. I.; Lowndes, D. H.; Baylor, L. R. J. Appl. Phys. 2001, 89, 1933.
6. Cassell, A. M.; Raymakers, J. A.; Kong, J.; Dai, H. J. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 6484.
7. Li, W. Z.; Xie, S. S.; Qian, L. X.; Chang, B. H.; Zou, B. S.; Zhou, W. Y.; Zhao, R. A.; Wang, G. Science 1996, 274, 1701.
8. Merkulov, V. I.; Lowndes, D. H.; Wei, Y. Y.; Eres, G.; VoelkJ, E. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3555.
9. Chen, Y.; Wang, Z. L.; Yin, J. S.; Johnson, D. J.; Prince, R. H. Chem. Phys. Lett. 1997, 272, 178.
10. Ren, Z. F.; Huang, Z. P.; Xu, J. W.; Wang, J. H.; Bush, P.; Siegal, M. P.; Provencio, P. N. Science 1998, 282, 1105.
11. Krishnan, A.; Dujardin, E.; Treacy, M. M. J.; Hugdahl, J.; Lynum, S.; Ebbesen, T. W. Nature 1997, 388, 451.
12. Gogotsi, Y.; Dimovski, S.; Libera, J. A. Carbon 2002, 40, 2263.
13. Gogotsi, Y.; Libera, J. A.; Kalashnikov, N.; Yoshimura, M. Science 2000,2 290, 317.
14. Tsai, C. L.; Chen, C. F.; Wu, L. K. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 721.
15. Mani, R. C.; Li, X.; Sunkara, M. K.; Rajan, K. Nano Lett. 2003, 3, 671.
16. Zhang, G. Y.; Bai, X. D.; Jiang, X.; Wang, E. G. Science 2004, 303.
17. Merkulov, V. I.; Melechko, A. V.; Guillorn, M. A.; Lowndes, D. H.; Simpson, M. L. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2970.
18. Cui, H.; Yang, X.; Meyer, H. M.; Baylor, L. R.; Simpson, M. L.; Gardner, W. L.; Lowndes, D. H.; An, L.; Lui, J. J. Mater. Res. 2005, 20.
19. Klein, K. L.; Melechko, A. V.; Rack, P. D.; Fowlke, J. D.; Meyer, H. M.; Simpson, M. L. Carbon, in press, 2005.
20. Lin, M.; Loh, K. P.; Boothroyd, C.; Du, A. Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5388.
21. Vasile, M. J.; Biddick, C.; Huggins, H. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 575.
22. Hsu, C. H.; Lo, H. C.; Chen, C. F.; Wu, C. T.; Hwang, J. S.; Das, D.; Tsai, J.; Chen, L. C.; Chen, K. H. Nano Lett. 2004, 4, 471.
23. Fujimoto, Y.; Nozu, M.; Okuyama, F. J. Appl. Phys. 1995, 77, 2725.
24. Istratov, A. A.; Weber, E. R. J. Electrochem. Soc. 2002, 149, G21.
25. Chromik, R. R.; Neils, W. K.; Cotts, E. J. J. Appl. Phys. 1999, 86, 4273.
26. Lee, C. S.; Gong, H.; Liu, R.; Wee, A. T. S.; Cha, C. L.; See, A.; Chan, L. J. Appl. Phys. 2001, 90, 3822.
27. Batchelder, D. N.; Simmons, R. O. J. Chem. Phys. 1964, 41, 2324.