Evolution of structural and electronic properties of highly mismatched InSb films

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 11, 2000, Pages 6278-6286

  Weng, X ^a   Goldman, R S ^a   Partin, D L ^b   Heremans, J P ^b  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

^b DELPHI CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 3342915088     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1324702     Document Type: Article

References (55)

1. J. Heremans, J. Phys. D 26, 1149 (1993).
2. M. Yano, T. Takase, and M. Kimata, Phys. Status Solidi A 54, 707 (1979).
3. A. J. Noreika, J. Greggi, Jr., W. J. Takei, and M. H. Francombe, J. Vac. Sci. Technol. A 1, 558 (1983).
4. G. M. Williams, C. R. Whitehouse, C. F. McConville, A. G. Cullis, T. Ashley, S. J. Courtney, and C. T. Elliot, Appl. Phys. Lett. 53, 1189 (1988).
5. J.-I. Chyi, S. Kalem, N. S. Kumar, C. W. Litton, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 53, 1092 (1988).
6. C. J. Kiely, J.-I. Chyi, A. Rockett, and H. Morkoç, Philos. Mag. A 60, 321 (1989).
7. S. D. Parker, R. L. Williams, R. Droopad, R. A. Stradling, K. W. J. Barnham, S. N. Holmes, J. Laverty, C. C. Phillips, E. Skuras, R. Thomas, X. Zhang, A. Staton-Bevan, and D. W. Pashley, Semicond. Sci. Technol. 4, 663 (1989).
8. X. Zhang, A. E. Staton-Bevan, and D. W. Pashley, Mater. Sci. Eng., B 7, 203 (1990).
9. P. E. Thompson, J. L. Davis, J. Waterman, R. J. Wagner, D. Gammon, D. K. Gaskill, and R. Stahlbush, J. Appl. Phys. 69, 7166 (1991).
10. B. R. Bennett, R. Magno, and B. V. Shanabrook, Appl. Phys. Lett. 68, 505 (1996).
11. E. Michel, H. Mohseni, J. D. Kim, J. Wojkowski, J. Sandven, J. Xu, M. Razeghi, R. Bredthauer, P. Vu, W. Mitchel, and M. Ahoujja, Appl. Phys. Lett. 71, 1071 (1997).
12. J. R. Söderströ'm, M. M. Cumming, J.-Y. Yao, and T. G. Andersson, Semicond. Sci. Technol. 7, 337 (1992).
13. R. M. Biefeld and G. A. Hebner, J. Cryst. Growth 109, 272 (1991).
14. D. K. Gaskill, G. T. Stauf, and N. Bottka, Appl. Phys. Lett. 58, 1905 (1991).
15. Y. Iwamura and N. Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L68 (1992).
16. M. Behet, B. Stoll, W. Brysch, and K. Heime, J. Cryst. Growth 124, 377 (1992).
17. C. Besikci, Y. H. Choi, R. Sudharsanan, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 73, 5009 (1993).
18. D. L. Partin, L. Green, and J. Heremans, J. Electron. Mater. 23, 75 (1994).
19. L. H. Kuo, S. Z. Hua, L. Salamanca-Riba, D. L. Partin, L. Green, and J. Heremans, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 340, 405 (1994).
20. T. W. Kim, B. S. Yoo, M. A. Mckee, and J. Y. Lee, Phys. Status Solidi A 142, K23 (1994).
21. R. M. Feenstra, M. A. Lutz, F. Stern, K. Ismail, P. M. Mooney, F. K. LeGoues, C. Stanis, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1608 (1995).
22. X. Zhang, A. E. Staton-Bevan, D. W. Pashley, S. D. Parker, R. Droopad, R. L. Williams, and R. C. Newman, J. Appl. Phys. 67, 800 (1990).
23. G. L. Pearson, W. T. Read, and F. J. Morin, Phys. Rev. 93, 666 (1954).
24. W. T. Read, Philos. Mag. 45, 775 (1954).
25. W. T. Read, Philos. Mag. 46, 111 (1955).
26. B. Pödör, Phys. Status Solidi 16, K167 (1966).
27. D. L. Dexter and F. Seitz, Phys. Rev. 86, 964 (1952).
28. H. Booyens, J. S. Vermaak, and G. R. Proto, J. Appl. Phys. 48, 3008 (1977).
29. H. H. Wieder, Solid-State Electron. 9, 373 (1966).
30. T. Takebe, T. Yamamoto, M. Fujii, and K. Kobayashi, J. Electrochem. Soc. 140, 1169 (1993).
31. J. M. Elson and J. M. Bennett, Appl. Opt. 34, 201 (1995).
32. L. J. van der Pauw, Philips Res. Rep. 13, 1 (1958).
33. S. K. Ghandhi and J. E. Ayers, Appl. Phys. Lett. 53, 1204 (1988).
34. see, for example, R. S. Goldman, K. L. Kavanagh, H. H. Wieder, S. N. Ehrlich, and R. M. Feenstra, J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998), and references therein.
35. R. S. Goldman, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 67, 344 (1995).
36. J. E. Ayers, S. K. Ghandhi, and L. J. Schowalter, J. Cryst. Growth 113, 430 (1991).
37. X. Weng, R. S. Goldman, D. L. Partin, and J. P. Heremans (unpublished).
38. C. R. Wie and H. M. Kim, Proc. SPIE 877, 41 (1988).
39. A. T. Macrander, G. P. Schwartz, and G. J. Gualtieri, J. Appl. Phys. 64, 6733 (1988).
40. A. Leiberich and J. Levkoff, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 422 (1990).
41. D. W. Pashley, Adv. Phys. 14, 327 (1965).
42. T. W. Kim, H. C. Bae, and H. L. Park, Appl. Phys. Lett. 74, 380 (1999).
43. E. P. Kvam, D. M. Maher, and C. J. Humphreys, J. Mater. Res. 5, 1900 (1990).
44. V. W. L. Chin, R. J. Egan, and T. L. Tansley, J. Appl. Phys. 69, 3571 (1991).
45. R. L. Petritz, Phys. Rev. 110, 1254 (1958).
46. J. Bardeen and W. Shockley, Phys. Rev. 80, 72 (1950).
47. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 39, 1871 (1989).
48. W. H. Press, S. A. Teukolsky, W. T. Vetterling, and B. P. Flannery, Numerical Recipes in C. 2nd ed. (Cambridge University Press, New York, 1996), p. 666.
49. O. Madelung, Semiconductors - Basic Data, 2nd rev. ed. (Springer, Berlin, 1996), p. 146.
50. M. Neuberger, Handbook of Electronic Materials (IFI/Plenum, New York, 1971), Vol. 2, p. 79.
51. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998).
52. H. M. Ng, D. Doppalapudi, T. D. Moustakas, N. G. Weimann, and L. F. Eastman, Appl. Phys. Lett. 73, 821 (1998).
53. D. C. Look and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 1237 (1999).
54. J.-L. Farvacque, Z. Bougrioua, I. Moerman, G. Van Tendeloo, and O. Lebedev, Physica B 273-274, 140 (1999).
55. Z. Bougrioua, J.-L. Farvacque, I. Moerman, P. Demeester, J. J. Harris, K. Lee, G. Van Tendeloo, O. Lebedev, and E. J. Thrush, Phys. Status Solidi B 216, 571 (1999).