Cap layer induced stress in InAs (Al) GaAs quantum dots

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 5, 2005, Pages 2132-2136

  Chen, Shen De ^a   Chen, Ying Ying ^a   Lee, Si Chen ^a  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPUTER SIMULATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; STRAIN; STRESS ANALYSIS;

CAP LAYERS; WAVELENGTH SHIFT;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 31144435038     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2052710     Document Type: Article

References (24)

1. Nien-Tze Yeh, Wei-Sheng Liu, Shu-Han Chen, Pe-Chin Chiu, and Jen-Inn Chyi, Appl. Phys. Lett. 80, 535 (2002).
2. N. Kirstaedter, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, S. S. Ruvimov, M. V. Maximov, P. S. Kop'ev, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 30, 1416 (1994).
3. D. L. Huffaker, G. Park, Z. Zou, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, Appl. Phys. Lett. 73, 2564 (1999).
4. K. Mukai, Y. Nakata, K. Otsubo, M. Sugawara, N. Yokoyama, and H. Ishikawa, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1205 (1999).
5. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, Y. M. Shernyakov, S. S. Mikhrin, N. A. Maleev, E. Y. Kondrat'eva, D. A. Livshits, M. V. Maximov, B. V. Volovik, D. A. Bedarev, Y. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, Z. I. Alferov, and D. Bimberg, IEEE Photonics Technol. Lett. 11, 1345 (1999).
6. J. Phillips, K. Kamath, and P. Bhattachary, Appl. Phys. Lett. 72, 2020 (1998).
7. Shiang-Feng Tang, Shih-Yen Lin, and Si-Chen Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2428 (2001).
8. H. C. Liu, M. Gao, J. McCaffrey, Z. R. Wasilewski, and S. Fafard, Appl. Phys. Lett. 78, 79 (2001).
9. Shih-Yen Lin, Yau-Ren Tsai, and Si-Chen Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2784 (2001).
10. L. Chu, A. Zrenner, G. Böhm, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 75, 3599 (1999).
11. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
12. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
13. N.-T. Yeh, T.-E. Nee, J.-I. Chyi, T. M. Hsu, and C. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 76, 1567 (2000).
14. M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, B. V. Volovik, D. S. Sizov, Yu. M. Shernyakov, I. N. Kaiander, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. M. Ustinov, Zh. I. Alferov, R. Heitz, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu. G. Musikhin, and W. Neumann, Phys. Rev. B 62, 16671 (2000).
15. H. S. Lee, J. Y. Lee, T. W. Kim, and M. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 83, 2256 (2003).
16. Shu-Shen Li, Jian-Bai Xia, Z. L. Yuan, and Z. Y. Xu, Phys. Rev. B 54, 11575 (1996).
17. P. D. Wang, N. N. Ledentsov, C. M. Sotomayer Torres, P. S. Kop'ev, and V. M. Ustinov, Appl. Phys. Lett. 64, 1526 (1994).
18. Yu. I. Mazur, Z. M. Wang, G. J. Salamo, Min Xiao, G. G. Tarasov, Z. Ya. Zhuchenko, W. T. Masselink, and H. Kissel, Appl. Phys. Lett. 83, 1866 (2003).
19. R. Jia, D. S. Jiang, H. Y. Liu, Y. Q. Wei, B. Xu, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 234, 354 (2002).
20. A. Malachias, W. N. Rodrigues, M. V. B. Moreira, S. Kycia, and R. Magalhaes-Paniago, J. Phys. D 36, A249 (2003).
21. Landolt-Bornstein 1982 Physics of Group IV Elements and III-V Compounds (Springer, Berlin, 1982), Vol. 17a.
22. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, B. A. Joyce, and T. S. Jones, Phys. Rev. B 58, R15981 (1998).
23. M. Arzberger, U. Kasberger, G. Bohm, and G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 75, 3968 (1999).
24. Z. Y. Zhang, B. Xu, P. Jin, X. Q. Meng, Ch. M. Li, X. L. Ye, and Z. G. Wang, J. Appl. Phys. 92, 511 (2002).