Stability and band offsets of polar GaN/SiC(001) and AlN/SiC(001) interfaces

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 56, Issue 11, 1997, Pages 6911-6920

  Stadele M ^a   Majewski, J ^a   Vogl, P ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 31044442190     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.56.6911     Document Type: Article

References (81)

1. S. Strite, M. E. Lin, and H. Morkoç, Thin Solid Films 231, 197 (1993).
2. H. Morkoç, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994), and references therein.
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhatterai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
5. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, T. George, and W. T. Pike, Appl. Phys. Lett. 63, 3470 (1993).
6. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Yan, J. Ruan, J. W. Choyke, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 316 (1990).
7. S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 250 (1983).
8. F. A. Ponce, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 65, 2302 (1994).
9. A. Salvador, G. Liu, W. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 67, 3322 (1995).
10. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
11. R. F. Davis, Physica B 185, 1 (1993).
12. J. G. Kim, A. C. Frenkel, H. Liu, and R. M. Park, Appl. Phys. Lett. 65, 91 (1994).
13. J. Paisley, Z. Sitar, J. B. Posthill, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 701 (1989).
14. H. Liu, C. Frenkel, J. G. Kim, and R. M. Park, J. Appl. Phys. 74, 6124 (1993).
15. H. Okumura, S. Yoshida, and T. Okahisa, Appl. Phys. Lett. 64, 2997 (1994).
16. A. Barski, U. Rössner, J. L. Rouviere, and M. Arley, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 21 (1996).
17. R. L. Headrick, S. Kycia, Y. K. Park, A. R. Woll, and J. D. Brock, Phys. Rev. B 54, 14 686 (1996).
18. I. Petrov, E. Mojab, R. C. Powell, J. E. Greene, L. Hultman, and J.-E. Sundgren, Appl. Phys. Lett. 60, 2491 (1992).
19. S. Tanaka, R. S. Kern, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 66, 37 (1995).
20. J. Chauduri, R. Thokala, J. H. Edgar, and B. S. Sywe, J. Appl. Phys. 77, 6263 (1995).
21. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 64, 4531 (1988).
22. C. Wetzel, D. Volm, B. K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E. N. Mokhov, and P. G. Baranow, Appl. Phys. Lett. 65, 1033 (1994).
23. W. A. Harrison, E. A. Kraut, J. R. Waldrop, and R. W. Grant, Phys. Rev. B 18, 4402 (1978).
24. R. M. Martin, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 978 (1980).
25. A. F. Wright and J. S. Nelson, Phys. Rev. B 50, 2159 (1994); see there the references to older papers.
26. J. A. Majewski, M. Städele, and P. Vogl, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 30 (1996).
27. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
28. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 50, 1502 (1994).
29. A. Rubio, J. L. Corkill, M. L. Cohen, E. L. Shirley, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 48, 11 810 (1993).
30. M. Palummo, L. Reining, R. W. Godby, C. M. Bertoni, and N. Börnsen, Europhys. Lett. 26, 607 (1994).
31. W. R. L. Lambrecht, B. Segall, J. Rife, W. R. Hunter, and D. K. Wickenden, Phys. Rev. B 51, 13 516 (1995).
32. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 48, 17 841 (1993).
33. P. E. Van Camp, V. E. Van Doren, and J. T. Devreese, Phys. Rev. B 44, 9056 (1994).
34. M. Suzuki, T. Uenoyama, and A. Yanase, Phys. Rev. B 52, 8132 (1995).
35. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 53, 16 310 (1996).
36. Su-Huai Wei and Alex Zunger, Appl. Phys. Lett. 69, 2719 (1996).
37. A. Rubio, J. L. Corkill, and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 49, 1952 (1994).
38. S.-H. Ke, M.-C. Huang, and R.-Z. Wang, Solid State Commun. 89, 105 (1994).
39. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2470 (1994).
40. K. Nath and A. B. Anderson, Phys. Rev. B 40, 7916 (1989).
41. S. Y. Ren and J. D. Dow, Appl. Phys. Lett. 69, 251 (1996).
42. L. K. Teles, L. M. R. Scolfaro, R. Enderlein, J. R. Leite, A. Josiek, D. Schikora, and K. Lischka, J. Appl. Phys. 80, 6322 (1996).
43. W. R. L. Lambrecht and B. Segall, Phys. Rev. B 43, 7070 (1991).
44. R. B. Capaz, H. Lim, and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. B 51, 17 755 (1995).
45. R. Di Felice, J. E. Northrup, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 54, R17 351 (1996).
46. K. Kunc and R. M. Martin, Phys. Rev. B 24, 3445 (1981).
47. G. Bratina, L. Vanzetti, L. Sorba, G. Biasiol, A. Franciosi, M. Peressi, and S. Baroni, Phys. Rev. B 50, 11 723 (1994).
48. R. Nicolini, L. Vanzetti, G. Mula, G. Bratina, L. Sorba, A. Franciosi, M. Peressi, S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, J. E. Angelo, and W. W. Gerberich, Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994).
49. D. M. Bylander and L. Kleinman, Phys. Rev. B 41, 3509 (1990).
50. S. Baroni, R. Resta, A. Baldereschi, and M. Peressi, in Spectroscopy of Semiconductor Microstructures, edited by G. Fasol, A. Fasolino, and P. Lugli (Plenum, London, 1989).
51. R. G. Dandrea, S. Froyen, and A. Zunger, Phys. Rev. B 42, 3213 (1990).
52. A. Kley and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 50, 8616 (1994).
53. M. Peressi, L. Colombo, R. Resta, S. Baroni, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 48, 12 047 (1993).
54. W. R. L. Lambrecht, C. Amador, and B. Segall, Phys. Rev. Lett. 68, 1363 (1992).
55. F. A. Ponce, M. A. O’Keefe, and E. C. Nelson, Philos. Mag. A 74, 777 (1996).
56. F. A. Ponce, B. S. Krusor, J. S. Major, Jr., W. E. Plano, and D. F. Welch, Appl. Phys. Lett. 67, 410 (1995).
57. F. A. Ponce, C. G. Van de Walle, and J. E. Northrup, Phys. Rev. B 53, 7473 (1996).
58. W. C. Hughes, W. H. Rowland, Jr., M. A. L. Johnson, S. Fujita, J. W. Cook, Jr., J. F. Schetzina, J. Ren, and J. A. Edmond, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1571 (1995).
59. O. Brandt, H. Yang, B. Jenichen, Y. Suzuki, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 52, 2253 (1995), and references therein.
60. W. R. L. Lambrecht and B. Segall, Phys. Rev. B 47, 9289 (1993).
61. H. Holloway and L. C. Davis, Phys. Rev. Lett. 53, 830 (1984).
62. T. Fuyuki, T. Yoshinobu, and H. Matsunami, Thin Solid Films 225, 225 (1993).
63. S. Hara, T. Meguro, Y. Aoyagi, M. Kawai, S. Misawa, E. Sakuma, and S. Yoshida, 225, 240 (1993).
64. X.-S. Wang, K. Self, V. Bressler-Hill, R. Maboudian, and W. H. Weinberg, Phys. Rev. B 49, 4775 (1994).
65. L. Colombo, R. Resta, and S. Baroni, Phys. Rev. B 44, 5572 (1991).
66. W. Pickett, Comput. Phys. Rep. 9, 115 (1988).
67. D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45, 566 (1980).
68. J. P. Perdew and A. Zunger, Phys. Rev. B 23, 5048 (1981).
69. M. C. Payne, M. P. Teter, D. C. Allan, T. A. Arias, and J. D. Joannopoulos, Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992).
70. N. Troullier and J. L. Martins, Phys. Rev. B 43, 1993 (1991).
71. L. Kleinman and D. M. Bylander, Phys. Rev. Lett. 48, 1425 (1982).
72. S. G. Louie, S. Froyen, and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 26, 1738 (1982).
73. J. A. Majewski, in Proceedings of the 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. J. Lockwood (World Scientific, Singapore, 1995), p. 711.
74. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
75. P. J. H. Denteneer and W. Van Haeringen, Solid State Commun. 59, 829 (1986).
76. M. E. Sherwin and T. J. Drummond, J. Appl. Phys. 69, 8423 (1991).
77. S. Froyen, Phys. Rev. B 39, 3168 (1989).
78. J. Philips, Bonds and Bands in Semiconductors (Academic, New York, 1973).
79. M. W. Wang, J. O. McCaldin, J. F. Swenberg, T. C. McGill, and R. J. Hauenstein, Appl. Phys. Lett. 66, 1974 (1995).
80. M. C. Benjamin, C. Wang, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 64, 3288 (1994).
81. H. Schulz and K. H. Thiemann, Solid State Commun. 23, 815 (1977).