Synthesis of Crystalline Silicon Tubular Nanostructures with ZnS Nanowires as Removable Templates

Angewandte Chemie - International Edition

Volumn 43, Issue 1, 2004, Pages 63-66

  Hu, Junqing ^a   Bando, Yoshio ^a   Liu, Zongwen ^a   Zhan, Jinhua ^a   Goldberg, Dmitri ^a   Sekiguchi, Takashi ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

Crystal growth; Epitaxy; Nanostructures; Nanotubes; Silicon

Indexed keywords

NANOWIRES;

ELECTRON DIFFRACTION; SILICON; SYNTHESIS (CHEMICAL); THICKNESS MEASUREMENT; ZINC SULFIDE;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

SILICON; ZINC SULFATE;

ARTICLE; CRYSTAL; NANOTECHNOLOGY; NANOWIRE; SYNTHESIS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

EID: 3142703377     PISSN: 14337851     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/anie.200352483     Document Type: Article

References (43)

1. S. Iijima, Nature 1991, 354, 56.
2. See, for example a) R. Tenne, L. Margulis, M. Genut, G. Hodes, Nature 1992, 360, 444;
3. b) E. J. M. Hamilton, S. E. Dolan, C. M. Mann, H. O. Colijn, C. A. Mcdonald, S. G. Shore, Science 1993, 260, 659;
4. c) Y. Feldman, E. Wasserman, D. J. Srolovitz, R. Tenne, Science 1995, 267, 222;
5. d) N. G. Chopra, R. J. Luyken, K. Cherrey, V. H. Crespi, M. L. Cohen, S. G. Louie, A. Zettl, Science 1995, 269, 966;
6. e) P. Hoyer, Langmuir, 1996, 12, 1411;
7. f) R. Tenne, M. Homyonfer, Y. Feldman, Chem. Mater. 1998, 10, 3225;
8. g) L. Pu, X. M. Bao, J. P. Zou, D. Feng, Angew. Chem. 2001, 113, 1538; Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1490;
9. g) L. Pu, X. M. Bao, J. P. Zou, D. Feng, Angew. Chem. 2001, 113, 1538; Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1490;
10. h) E. J. Mele, P. Kral, Phys. Rev. Lett. 2002, 88, 056803-1;
11. i) M. Nath, C. N. R. Rao, Angew. Chem. 2002, 41, 3601; Angew. Chem. Int. Ed. 2002, 41, 3451;
12. i) M. Nath, C. N. R. Rao, Angew. Chem. 2002, 41, 3601; Angew. Chem. Int. Ed. 2002, 41, 3451;
13. j) J. H. Jung, H. Kobayashi, K. J. C. van - Bommel, S. Shinkai, T. Shimizu, Chem. Mater. 2002, 14, 1445.
14. a) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208;
15. b) Y. Cui, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. F. Wang, C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2214.
16. a) N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee, Phys. Rev. B 1998, 58, R16024;
17. b) S. T. Lee, Y. F. Zhang, N. Wang, Y. H. Tang, I. Bello, C. S. Lee, Y. W. Chung, J. Mater. Res. 1999, 14, 4503;
18. c) W. S. Shi, H. Y. Peng, L. Xu, N. Wang, Y. H. Tang, S. T. Lee, Adv. Mater. 2000, 12, 1927;
19. d) J. L. Gole, J. D. Stout, W. L. Rauch, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2346.
20. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, B. A. Korgel, Science 2000, 287, 1471.
21. a) J. Sha, J. J. Niu, X. Y. Ma, J. Xu, X. B. Zhang, Q. Yang, D. R. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 1219;
22. b) S. Y. Jeong, J. Y. Kim, H. D. Yang, B. N. Yoon, S.-H. Choi, H. K. Kang, C. W. Yang, Y. H. Lee, Adv. Mater. 2003, 15, 1172.
23. a) S. B. Fagan, R. J. Baierle, R. Mota, A. J. R. da Silva, A. Fazzio, Phys. Rev. B 2000, 61, 9994;
24. b) G. Seifert, T. Köhler, H. M. Urbassek, E. Hernández, T. Frauenheim, Phys. Rev. B 2001, 63, 193409;
25. c) A. S. Barnard, S. P. Russo, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 7577.
26. See, for example a) W. Liang, C. R. Martin, J. Am. Chem. Soc. 1990, 112, 9666;
27. b) C. J. Brumlik, C. R. Martin, J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 3174;
28. c) R. Parthasarathy, C. R. Martin, Nature 1994, 369, 298;
29. d) C. R. Martin, Science 1994, 266, 1961;
30. e) M. Nishizawa, V. P. Menon, C. R. Martin, Science 1995, 268, 700;
31. f) P. M. Ajayan, O. Stephan, P. Redlich, C. Colliex, Nature 1995, 375, 564;
32. g) B. B. Lakshmi, P. K. Dorhout, C. R. Martin, Chem. Mater. 1997, 9, 857;
33. h) J. C. Hulteen, C. R. Martin, J. Mater. Chem. 1997, 7, 1075.
34. J. Goldberger, R. R. He, Y. F. Zhang, S. Lee, H. Q. Yan, H.-J. Choi, P. D. Yang, Nature 2003, 422, 599.
35. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York, 1981.
36. a) L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, W. P. Kirk, Phys. B 1995, 52, 11201;
37. b) X. H. Zhou, S. Jiang, W. P. Kirk, J. Appl. Phys. 1997, 82, 2251;
38. c) N. H. Tran, A. J. Hartmann, R. N. Lamb, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 1150.
39. Y. F. Zhang, Y. H. Tang, H. Y. Peng, N. Wang, C. S. Lee, I. Bello, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1842.
40. W. S. Shi, H. Y. Peng, N. Wang, C. P. Li, L. Xu, C. S. Lee, R. Kalish, S. T. Lee, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 11095.
41. a) D. Golberg, Y. Bando, L. Bourgeois, K. Kurashima, T. Sato, Carbon 2000, 38, 2017;
42. b) D. Golberg, Y. Bando, W. Q. Han, K. Kurashima, T. Sato, Chem. Phys. Lett. 1999, 308, 337;
43. c) W. Q. Han, Y. Bando, K. Kurashima, T. Sato, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3085.