Failure mechanism for metalorganic vapor deposition of (Ba,Sr)TiO 3/Ru/Ti(ON) capacitor stacks

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 47, Issue 2, 2005, Pages 359-363

  Kim, Sam Dong ^a  

^a Dongguk University   (South Korea)

Author keywords

BST; Failure mechanism; Oxidation

Indexed keywords

EID: 24644518941     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (13)

1. J. F. Scott, L. Kammerdiner, M. Paris, S. Tryner and V. Ottenbacher, J. Appl. Phys. 64, 787 (1988).
2. S. H. Paek, J. H. Won, K. S. Lee, J. S. Choi and C. S. Park, Jpn. Appl. Phys. Part 1 35, 5757 (1996).
3. K. P. Lee, Y. S. Park, D. H. Ko, C. S. Hwang, C. J. Kang, K. Y. Lee, J. S. Kim, J. K. Park, B. H. Roh,; J. Y. Lee, B. C. Kim, J. H. Lee, K. N. Kim, J. W. Park and R. J. G. Lee, Proceedings of the International Electron Devices Meeting (IEEE, New York, 1995), p. 907.
4. T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 33, 5207 (1994).
5. Y. Nishioka, K. Shiozawa, T. Oishi, K. Kanamoto, Y. Tokuda, H. Sumitani, S. Aya, H. Yabe, K. Itoga, T. Hifumi, K. Marumoto, T. Kuroiwa, T. Kawahara, K. Nishikawa, T. Oomori, T. Fujino, S. Yamamoto, S. Uzawa, M. Kimata, M. Nunoshita and H. Abe, Proceedings of the International Electron Devices Meeting (IEEE, New York, 1995), p. 903.
6. S. Yamamichi, P.-Y. Lesaicherre, H. Yamaguchi, K. Takemura, S. Sone, H. Yabuta, K. Sato, T. Tamura, K. Nakajima, S. Ohnishi, K. Tokashiki, Y. Hayashi, Y. Kato, Y. Miyasaka, M. Yoshida and H. Ono, Proceedings of the International Electron Devices Meeting (IEEE, New York, 1995), p. 831.
7. X. Chen, A. I. Kingon, N. H. Al-shareef, K. R. Bellur, K. Gifford and O. Auciello, Integr. Ferroelectr. 7, 291 (1995).
8. S. D. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 534 (2004).
9. S. E. Moon, E. K. Kim, S. J. Lee, M. H. Kwak, Y. Y. Kim, H. C. Ryu, K. Y. Kang, S. K. Han and W. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 42, S1350 (2004).
10. S. D. Kim, I. S. Hwang, J. K. Rhee, T. H. Cha and H. D. Kim, Electrochemical and Solid-State Lett. 4, G7 (2001).
11. D. G. Park, T. H. Cha, S. H. Lee, I. S. Yeo, J. W. Park and S. D. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2289 (2001).
12. C. S. Hwang, B. T. Lee, C. S. Kang, K. H. Lee, H. J. Cho, H. Hideki, W. D. Kim, S. I. Lee and M. Y. Lee, J. Appl. Phys. 85, 287 (1999).
13. J. C. Shin, J. Park, C. S. Hwang and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 86, 506 (1999).