Inline sidewall angle monitoring of memory capacitor profiles

Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE

Volumn 5752, Issue III, 2005, Pages 1237-1247

  Rathsack, Ben M ^a   Bushman, Scott G ^a   Celii, Francis G ^a   Ayres, Stephen F ^b   Kris, Roman ^b  

^a TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^b APPLIED MATERIALS INC   (United States)

Author keywords

AFM; Ferroelectric random access memory; Scatterometry; SEM; Sidewall angle

Indexed keywords

CAPACITOR PROFILES; FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (FRAM); SCATTEROMETRY; SIDEWALL ANGLE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CMOS INTEGRATED CIRCUITS; FERROELECTRICITY; MATHEMATICAL MODELS; OPTICAL FILMS; OPTIMIZATION; RANDOM ACCESS STORAGE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

CAPACITORS;

EID: 24644492359     PISSN: 16057422     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.600750     Document Type: Conference Paper

References (11)

1. H. Takasu, Int. Ferroelectrics, 14, 1 (1997).
2. T.S. Moise, S.R. Summerfelt, H. McAdams, S. Aggarwal, K.R. Udayakumar, F.G. Celii, J.S. Martin, G. Xing, L. Hall, K.J. Taylor, T. Kurd, J. Rodriguez, K. Remack. M.D. Khan, K. Boku, G. Stacey, M. Yao, G. Albrecht, E. Zielinski, M. Thakre, S. Kuchimanchi, A. Thomas, and B. McKee, J. Rickes, A. Wang, J. Grace, J. Fong, D. Lee, C. Pietrzyk, R. Lanham, S.R. Gilbert, D. Taylor, J. Amano, R. Bailey, F. Chu, G. Fox, S. Sun, and T. Davenport, IEDM Tech. Digest, 36, 535 (2002).
3. J. Rodriguez, K. Remack, K. Boku, K.R. Udayakumar, S. Aggarwal, S. Summerfelt, F. Celii, S. Martin, L. Hall, K. Taylor, T. Moise, H. McAdams, J. McPherson, R. Bailey, G. Fox, M. Depner, IEEE TDMR, V4, No.3, pp. 436-49, (2004).
4. T. S. Moise, S. R. Summerfelt, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. Loke, S. Ma, R. Kavari, L. A. Wills, T. Hsu, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell and S. M. Bilodeau, IEDM Tech. Dig., 33, 940 (1999).
5. S. R. Summerfelt, T. S. Moise, G. Xing, L. Colombo, T. Sakoda, S. R. Gilbert, A. Loke, S. Ma, L. A. Wills, R. Kavari, T. Hsu, J. Amano, S. T. Johnston, D. J. Vestyck, M. W. Russell, S. M. Bilodeau and P. van Buskirk, Appl. Phys. Lett., 79, 4004 (2001).
6. F. G. Celii, M. Thakre, M. K. Gay, S. R. Summerfelt, S. Aggarwal, J. S. Martin, L. Hall, K. R. Udayakumar and T. S. Moise, Integrated Ferroelectrics, 53, 269-77 (2003).
7. T. Marschner and C. Stief, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5038, 892 (2003).
8. R. Kris, O. Adan, A. Tam, A. Y. Karabekov, O. Menadeva, R. Peltinov, A. Pnueli, O. Zoran, and A. Vilenkin, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 5375, 1212 (2004).
9. R. Kris, O. Adam, A. Tam, A. Karabekov, O. Menadeva, R. Peltinov, O. Zoran, N. Wertsman, A. Vilenkin, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5645, 23 (2004).
10. R. Dixson, A. Guerry, M. Bennett, T. Vorburger, and B. Bunday, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5038, 150 (2003).
11. J. S. Villarrubia, R. G. Dixson, S. N. Jones, J. R. Lowney, M. T. Postek, Jr., R. A. Allen, and M. W. Cresswell, Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 3677, 587 (1999).