Controlling the morphology of ZnO nanostructures in a low-temperature hydrothermal process

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 109, Issue 32, 2005, Pages 15317-15321

  Pal, U ^a   Santiago, P ^b  

^a BENEMÉRITA UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE PUEBLA   (Mexico)

^b UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE MÉXICO   (Mexico)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMINES; CRYSTAL GROWTH; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; LOW TEMPERATURE EFFECTS; MORPHOLOGY; OXYGEN; PH EFFECTS; PHOTOLUMINESCENCE; SURFACE ACTIVE AGENTS; SYNTHESIS (CHEMICAL); ZINC OXIDE;

ETHYLENEDIAMINE; HYDROTHERMAL TECHNIQUE; NANORODS; PREFERENTIAL GROWTH;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 24344498173     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp052496i     Document Type: Article

References (37)

1. Klingshirn, C. Phys. Status Solidi B 1975, 71, 547.
2. Bagnall, D. M.; Chen, Y. F.; Zhu, Z.; Yao, T.; Koyama, S.; Shen, M. Y.; Goto, T. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 2230.
3. Comini, E.; Fagila, G.; Sberveglieri, G.; Pan, Z.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1869.
4. Bai, X. D.; Gao, P. X.; Wang, Z. L.; Wang, E. G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4806.
5. Xu, C. X.; Sun, X. W. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 380.
6. Li, Q. H.; Wan, Q.; Chen, Y. J.; Wang, T. H.; Jia, H. B.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 636.
7. Ng, H. T.; Han, J.; Yamada, T.; Nguyen, P.; Chen, Y. P.; Meyyappan. M. Nano Lett. 2004, 4, 1247.
8. Kind, H.; Yan, H.; Messer, B.; Mathew, L.; Yang, P. Adv. Mater. 2004, 14, 158.
9. Ng, H. T.; Chen, B.; Li, J.; Han, J.; Meyyappan, M.; Wu, J.; Li, S. X.; Haller, E. E. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 2023.
10. Yang, P.; Yan, H.; Mao, S.; Russo, R.; Johnson, J.; Saykally, R.; Morris, N.; Pham, J.; He, R.; Choi, H.-J. Adv. Funct. Mater. 2002, 12, 323.
11. Lyu, S. C.; Zhang, Y.; Ruh, H.; Lee, H.-J.; Shim, H.-W.; Suh, E.-K.; Lee, C. J. Chem. Phys. Lett. 2002, 363, 134.
12. Gao, P. X.; Wang, Z. L. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 7534.
13. Zhang, Y.; Jia, H.; Xuhubi, L.; Chen, X.; Yu, D.; Rongming, W. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 8289.
14. Roy, V. A. L.; Djurisic, A. B.; Chan, W. K.; Gao, J.; Lui, H. F.; Surya, C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 141.
15. Jiansheng, J.; Wang, G.; Wang, Q.; Chen, Y.; Han, X.; Wang, X.; Hou, J. G. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 11976.
16. Vayssieres, L. Adv. Mater. 2003, 15, 464.
17. Wang, J.; Gao, L. J. Mater. Chem. 2003, 13, 2551.
18. Liu, B.; Zeng, H. C. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4430.
19. Li, Y.; Meng, G. W.; Zhang, L. D. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2011.
20. Zheng, M. J.; Zhang, L. D.; Li, G. H.; Shen, W. Z. Chem. Phys. Lett. 2002, 363, 123.
21. Lee, W.; Jeong, M.-C.; Myoung, J.-M. Nanotechnology 2004, 15, 1441.
22. Li, W.-J.; Shi, E.-W.; Zhong, W.-Z.; Yin, Z.-W. J. Cryst. Growth 1999, 205, 186.
23. Wander, A.; Harrison, N. M. Surf. Sci. 2000, 468, L851.
24. Donnay, J. D. H.; Harker, D. Am. Miner. 1937, 22, 446.
25. Baxter, J. B.; Wu, F.; Ayudil, E. S. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3797.
26. Tersoff, J.; Vandergon, A. W. D.; Tromp, R. M. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 266.
27. Ong, H. C.; Du, G. T. J. Cryst. Growth 2004, 265, 471.
28. Studenikin, S. A.; Golego, N.; Cocivera, M. J. Appl. Phys. 1998, 84, 2287.
29. Lin, B.; Fu, Z.; Jia, Y. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 943.
30. Vanheusden, K.; Warren, W. L.; Seager, C. H.; Tallant, D. R.; Voigt, J. A.; Gnade, B. E. J. Appl. Phys. 1996, 79, 7983.
31. Osaga, K.; Sakurai, K.; Fujita, S.; Fujita, S.; Matsushige, K. J. Cryst. Growth 2000, 214/215, 312.
32. Li, W.; Mao, D.; Zhang, F.; Wang, X.; Liu, X.; Zou, S.; Zou, Y.; Li, Q.; Xu, J. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 2000, 169, 53.
33. Liu, M.; Kitai, A. H.; Mascher, P. J. Lumin. 1992, 54, 35.
34. Wu, X. L.; Siu, G. G.; Fu, C. L.; Ong, H. C. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2285.
35. Menulenkamp, E. A. J. Phys. Chem. B 1998, 102, 5566.
36. Koh, Y. W.; Lin, M.; Tan, C. K.; Foo, Y. L.; Loh, K. P. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 11419.
37. Zhang, H.; Yang, D.; Ji, Y.; Ma, X.; Xu, J.; Que, D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 3955.