High-power continuous-wave midinfrared type-II "w" diode lasers

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 21, 2005, Pages 1-3

  Canedy, C L ^a   Bewley, W W ^a   Lindle, J R ^a   Vurgaftman, I ^a   Kim, C S ^a   Kim, M ^a   Meyer, J R ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH GROWTH QUALITY; HIGH-POWER CONTINUOUS-WAVE MIDINFRARED; SEMICONDUCTOR LASER TECHNOLOGY; TRANSITION REGIONS;

CLADDING (COATING); CURRENT DENSITY; ELECTRIC POTENTIAL; INFRARED RADIATION; MONOLAYERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 20844456567     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1938256     Document Type: Article

References (24)

1. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
2. W. W. Bewley, C. L. Felix, I. Vurgaftman, D. W. Stokes, E. H. Aifer, L. J. Olafsen, J. R. Meyer, M. J. Yang, B. V. Shanabrook, H. Lee, R. U. Martinelli, and A. R. Sugg, Appl. Phys. Lett. 74, 1075 (1999).
3. C. Lin, M. Grau, O. Dier, and M. C. Amann, Appl. Phys. Lett. 84, 5088 (2004); 6th Int. Conf. Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004).
4. C. Lin, M. Grau, O. Dier, and M. C. Amann, Appl. Phys. Lett. 84, 5088 (2004); 6th Int. Conf. Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004).
5. M. Beck, D. Hofstetter, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, and H. Melchior, Science 295, 301 (2002).
6. J. S. Yu, J. David, L. Doris, S. Slivken, and M. Razeghi, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 747 (2004)
7. W. W. Bewley, J. R. Lindle, C. S. Kim, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, A. Evans, J. S. Yu, S. Slivken, and M. Razeghi, IEEE J. Quantum Electron. (in press).
8. H. Lee, L. J. Olafsen, R. J. Menna, W. W. Bewley, R. U. Martinelli, I. Vurgaftman, D. Z. Garbuzov, C. L. Felix, M. Maiorov, J. R. Meyer, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Electron. Lett. 35, 1743 (1999).
9. W. W. Bewley, I. Vurgaftman, C. S. Kim, M. Kim, C. L. Canedy, J. R. Meyer, J. D. Bruno, and F. J. Towner, Appl. Phys. Lett. 85, 5544 (2004).
10. W. W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R. J. Menna, C. L. Felix, R. U. Martinelli, D. W. Stokes, D. Z. Garbuzov, J. R. Meyer, M. Maiorov, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Appl. Phys. Lett. 76, 256 (2000); (unpublished data).
11. J. L. Bradshaw, N. P. Breznay, J. D. Bruno, J. M. Gomes, J. T. Pham, F. J. Towner, D. E. Wortman, R. L. Tober, C. J. Monroy, and K. A. Olver, Physica E (Amsterdam) 20, 479 (2004).
12. R. Q. Yang, Proc. SPIE 0277-786X (in press)
13. R. Q. Yang, C. J. Hill, B. H. Yang, C. M. Wong, R. E. Muller, and P. M. Echternach, Appl. Phys. Lett. 84, 3699 (2004)
14. R. Q. Yang (private communication).
15. C. L. Canedy, W. W. Bewley, C. S. Kim, M. Kim, I. Vurgaftman, and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 1347 (2003).
16. C. L. Canedy, G. I. Boishin, W. W. Bewley, C. S. Kim, I. Vurgaftman, M. Kim, J. R. Lindle, J. R. Meyer, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1575 (2004).
17. M. Kim, W. W. Bewley, J. R. Lindle, C. S. Kim, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. G. Kim, and R. U. Martinelli, Appl. Phys. Lett. 83, 5374 (2003).
18. C. Mermelstein, J. Schmitz, R. Kiefer, M. Walther, and J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 85, 537 (2004).
19. C. L. Canedy, W. W. Bewley, G. I. Boishin, C. S. Kim, I. Vurgaftman, M. Kim, J. R. Meyer, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1575 (2004).
20. H. K. Choi, G. W. Turner, and M. J. Manfra, Electron. Lett. 32, 1296 (1996).
21. M. Razeghi (private communication).
22. J. L. Bradshaw, J. T. Pham, R. Q. Yang, J. D. Bruno, and D. E. Wortman, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7, 102 (2001).
23. C. J. Hill, B. Yang, and R. Q. Yang, Physica E (Amsterdam) 20, 486 (2004).
24. S. Suchalkin, D. Donetski, D. Westerfeld, R. Martinelli, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, S. Luryi, and G. Belenky, Appl. Phys. Lett. 80, 2833 (2002).