Room-temperature "W" diode lasers emitting at λ≈4.0 μm

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 23, 2004, Pages 5544-5546

  Bewley, W W ^a   Vurgaftman, I ^a   Kim, C S ^a   Kim, M ^a   Canedy, C L ^a   Meyer, J R ^a   Bruno, J D ^b   Towner, F J ^b  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

^b Maxion Technologies Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIGITAL ALLOYS; INFRARED DIODE LASERS; OPTICAL CLADDING; THRESHOLD CURRENT;

CURRENT DENSITY; ELECTROSTATICS; ENERGY GAP; LIGHT EMITTING DIODES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SUPERLATTICES;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 12844260872     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1834714     Document Type: Article

References (21)

1. C. Lin, M. Grau, O. Dier, and M. C. Amann, Appl. Phys. Lett. 84, 5088 (2004); Sixth International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004.
2. C. Lin, M. Grau, O. Dier, and M. C. Amann, Appl. Phys. Lett. 84, 5088 (2004); Sixth International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004.
3. J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, and G. L. Belenky, Appl. Phys. Lett. 83, 1926 (2003).
4. M. Beck, D. Hofstetter, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, and H. Melchior, Science 295, 301 (2002).
5. J. S. Yu, J. David, L. Doris, S. Slivken, and M. Razeghi, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 747 (2004); A. Evans, J. S. Yu, S. Slivken, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 85, 2166 (2004); A. Evans, J.-S. Yu, S. Slivken, M. Razeghi, W. W. Bewley, J. R. Lindle, I. Vurgattman, and J. R. Meyer, Sixth International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004.
6. J. S. Yu, J. David, L. Doris, S. Slivken, and M. Razeghi, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 747 (2004); A. Evans, J. S. Yu, S. Slivken, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 85, 2166 (2004); A. Evans, J.-S. Yu, S. Slivken, M. Razeghi, W. W. Bewley, J. R. Lindle, I. Vurgattman, and J. R. Meyer, Sixth International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004.
7. J. S. Yu, J. David, L. Doris, S. Slivken, and M. Razeghi, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 747 (2004); A. Evans, J. S. Yu, S. Slivken, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 85, 2166 (2004); A. Evans, J.-S. Yu, S. Slivken, M. Razeghi, W. W. Bewley, J. R. Lindle, I. Vurgattman, and J. R. Meyer, Sixth International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics Materials and Devices, St. Petersburg, 2004.
8. J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, and L. R. Ram-Mohan, Appl. Phys. Lett. 67, 757 (1995).
9. W. W. Bewley, C. L. Felix, I. Vurgaftman, D. W. Stokes, E. H. Aifer, L. J. Olafsen, J. R. Meyer, M. J. Yang, B. V. Shanabrook, H. Lee, R. U. Martinelli, and A. R. Sugg, Appl. Phys. Lett. 74, 1075 (1999).
10. H. Lee, L. J. Olafsen, R. J. Menna, W. W. Bewley, R. U. Martinelli, I. Vurgaftman, D. Z. Garbuzov, C. L. Felix, M. Maiorov, J. R. Meyer, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Electron. Lett. 35, 1743 (1999).
11. W. W. Bewley, H. Lee, I. Vurgaftman, R. J. Menna, C. L. Felix, R. U. Martinelli, D. W. Stokes, D. Z. Garbuzov, J. R. Meyer, M. Maiorov, J. C. Connolly, A. R. Sugg, and G. H. Olsen, Appl. Phys. Lett. 76, 256 (2000); unpublished data.
12. M. Kim, W. W. Bewley, J. R. Lindle, C. S. Kim, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, J. G. Kim, and R. U. Martinelli, Appl. Phys. Lett. 83, 5374 (2003).
13. C. Mermelstein, J. Schmitz, R. Kiefer, M. Walther, and J. Wagner, Appl. Phys. Lett. 85, 537 (2004).
14. J. L. Bradshaw, N. P. Breznay, J. D. Bruno, J. M. Gomes, J. T. Pham, F. J. Towner, D. E. Wortman, R. L. Tober, C. J. Monroy, and K. A. Olver, Photonics Spectra 20, 479 (2004); J. L. Bradshaw, R. Q. Yang, J. D. Bruno, J. T. Pham, and D. E. Wortman, Appl. Phys. Lett. 75, 2362 (1999).
15. J. L. Bradshaw, N. P. Breznay, J. D. Bruno, J. M. Gomes, J. T. Pham, F. J. Towner, D. E. Wortman, R. L. Tober, C. J. Monroy, and K. A. Olver, Photonics Spectra 20, 479 (2004); J. L. Bradshaw, R. Q. Yang, J. D. Bruno, J. T. Pham, and D. E. Wortman, Appl. Phys. Lett. 75, 2362 (1999).
16. R. Q. Yang, Proceedings of the 27th International Conference on Physics of Semiconductors, Flagstaff, 2004, (in press).
17. R. Q. Yang, C. J. Hill, B. Yang, and J. K. Liu, Appl. Phys. Lett. 83, 2109 (2003).
18. C. L. Canedy, G. I. Boishin, W. W. Bewley, C. S. Kim, I. Vurgaflman, M. Kim, J. R. Lindle, J. R. Meyer, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1575 (2004).
19. S. Suchalkin, D. Donetsk), D. Westerfeld, R. Martinelli, I. Vurgaftman, J. R. Meyer, S. Luryi, and G. Belenky, Appl. Phys. Lett. 80, 2833 (2002).
20. S. Suchalkin, J. Bruno, R. Tober, D. Westerfeld, M. Kisin, and G. Belenky, Appl. Phys. Lett. 83, 1500 (2003).
21. R. Kaspi, A. Ongstad, G. C. Dente, J. Chavez, M. L. Tilton, and D. Gianardi, Appl. Phys. Lett. 81, 406 (2002).