Scanning tunneling microscopy characterization of low-profile crystalline TiSi2 microelectrodes on a Si(111) surface

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 20, 2005, Pages 1-3

  Tong, Xiao ^a   Wolkow, Robert A ^a  

^a UNIVERSITY OF ALBERTA   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC RESISTANCE; MICROELECTRODES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SILICON WAFERS; SURFACE TREATMENT; THERMAL EFFECTS;

LOW-PROFILE CRYSTALLINE; MOLECULAR SENSING; SEMICONDUCTOR SURFACES; SILICON-MOLECULAR NANOSTRUCTURES;

TITANIUM COMPOUNDS;

EID: 20844447889     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1922572     Document Type: Article

References (25)

1. S. Hasegawa and S. Ino, Phys. Rev. Lett. 68, 1192 (1992).
2. X. Tong, S. Hasegawa, and S. Ino, Phys. Rev. B 55, 1310 (1997).
3. X. Tong, K. Horikoshi, and S. Hasegawa, Phys. Rev. B 60, 5653 (1999).
4. X. Tong, C. S. Jiang, K. Horikoshi, and S. Hasegawa, Surf. Sci. 449, 125 (2000).
5. G. P. Lopinski, D. D. M. Wayner, and R. A. Wolkow, Nature (London) 406, 48 (2000).
6. X. Tong, G. A. DiLabio, and R. A. Wolkow, Nano Lett. 4, 979 (2004).
7. X. Tong, G. A. DiLabio, O. J. Clarkin, and R. A. Wolkow, Nano Lett. 4, 357 (2004).
8. H. Jeon, C. A. Sukow, J. W. Honeycutt, G. A. Rozgonyi, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 71, 4269 (1992).
9. Y. Hasegawa and P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 71, 1071 (1993).
10. I. Matsuda, M. Ueno, T. Hirahara, R. Hobara, H. Morikawa, C. H. Liu, and S. Hasegawa, Phys. Rev. Lett. 93, 236801 (2004).
11. I. C. Wu, J. J. Chu, and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 60, 3172 (1986).
12. A. Catana, P. E. Schmid, M. Heintze, F. Levy, P. Stadelmann, and R. Bonnet, J. Appl. Phys. 67, 1820 (1990).
13. K. H. Kim, J. J. Lee, D. J. Seo, C. K. Choi, S. R. Hong, J. D. Koh, S. C. Kim, J. Y. Lee, and M. A. Nicolet, J. Appl. Phys. 71, 3812 (1992).
14. H. J. W. Vanhoutum, I. Raaijmakers, and T. J. M. Menting, J. Appl. Phys. 61, 3116 (1987).
15. C. A. Pico and M. G. Lagally, J. Appl. Phys. 64, 4957 (1988).
16. A. W. Stephenson and M. E. Welland, J. Appl. Phys. 78, 5143 (1995).
17. U. Purbach and A. de Lozanne, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2073 (2001).
18. M. Fujimori, S. Heike, Y. Terada, and T. Hashiziume, Nanotechnology 15, S333 (2004).
19. F. J. Ruess, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, T. Hallam, S. R. Schofield, N. J. Curson, and R. G. Clark, Nano Lett. 4, 1969 (2004).
20. R. Beyers and R. Sinclair, J. Appl. Phys. 57, 5240 (1985).
21. O. V. Hul'ko, R. Boukherroub, and G. P. Lopinski, J. Appl. Phys. 90, 1655 (2001).
22. R. S. Becker, G. S. Higashi, Y. J. Chabal, and A. J. Becker, Phys. Rev. Lett. 65, 1917 (1990).
23. B. G. Koehler, C. H. Mak, D. A. Arthur, P. A. Coon, and S. M. George, J. Chem. Phys. 89, 1709 (1988).
24. C. Kleint and K. D. Brzoska, Surf. Sci. 231, 177 (1990).
25. R. J. Nemanich, R. W. Fiordalice, and H. T. Jeon, IEEE J. Quantum Electron. 25, 997 (1989).