Host isotope effects on midinfrared optical transitions in silicon

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 71, Issue 11, 2005, Pages

  Davies, Gordon ^a   Hayama, S ^a   Hao, Shiqiang ^a   Bech Nielsen, B ^b   Coutinho, J ^c   Sanati, M ^d   Estreicher, S K ^d   Itoh, K M ^e  

^a KING'S COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^b AARHUS UNIVERSITY   (Denmark)

^c UNIVERSITY OF AVEIRO   (Portugal)

^d TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^e KEIO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON; ISOTOPE; SILICON;

ARTICLE; COMPLEX FORMATION; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; ELECTRON; ENERGY; HOST; PHONON; POLARIMETRY; PREDICTION; QUANTUM CHEMISTRY; VIBRATION;

EID: 20144378493     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.71.115212     Document Type: Article

References (38)

1. T. Kojima, R. Nebashi, K. M. Itoh, and Y. Shiraki, Appl. Phys. Lett. 83, 2318 (2003).
2. D. Karaiskaj, M. L. W. Thewalt, T. Ruf, M. Cardona, and M. Konuma, Solid State Commun. 123, 87 (2002).
3. D. Karaiskaj, M. L. W. Thewalt, T. Ruff, and M. Cardona, Phys. Status Solidi B 235, 63 (2003).
4. D. Karaiskaj, G. Kirzenow, M. L. W. Thewalt, R. Buezko, and M. Cardona, Phys. Rev. Lett. 90, 016404 (2003).
5. D. Karaiskaj, T. A. Meyer, M. L. W. Thewalt, and M. Cardona, Phys. Rev. B 68, 121201 (2003).
6. D. Karaiskaj, J. A. H. Stitz, T. A. Meyer, M. L. W. Thewalt, and M. Cardona, Phys. Rev. Lett. 90, 186402 (2003).
7. S. Hayama, G. Davies, J. Tan, J. Coutinho, R. Jones, and K. Itoh, Phys. Rev. B 70, 035202 (2004).
8. S. Hayama, G. Davies, and K. M. Itoh, J. Appl. Phys. 96, 1754 (2004).
9. J. Kato, K. M. Itoh, H. Yamada-Kaneta, and H.-J. Pohl, Phys. Rev. B 68, 035205 (2003).
10. R. N. Pereira, T. Ohya, K. M. Itoh, and B. B. Nielsen, Physica B 340-342, 697 (2003).
11. K. M. Itoh, J. Kato, M. Uemura, A. K. Kaliteevskii, O. N. Godisov, G. G. Devyatych, A. D. Bulanov, A. V. Gusev, I. D. Kovalev, P. G. Sennikov, H. J. Pohl, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6248 (2003).
12. Annual Book of ASTM Standards, Procedure F123 (ASTM, Philadelphia, PA, 1992) ISBN 0-8031-1726-4, p. 189.
13. J. M. Pruneda, S. K. Estreicher, J. Junquera, J. Ferrer, and P. Ordejon, Phys. Rev. B 65, 075210 (2002).
14. J. Coutinho, R. Jones, P. R. Briddon, S. Öberg, L. I. Murin, V. P. Markevitch, and J. L. Lindström, Phys. Rev. B 65, 014109 (2001).
15. H.-C. Wille, Y. V. Shvyd'ko, E. Gerdau, M. Lerche, M. Lucht, and H. D. Ruter, Phys. Rev. Lett. 89, 285901 (2002).
16. E. Sozontov, L. X. Cao, A. Kazimirov, V. Kohn, M. Konuma, M. Cardona, and J. Zegenhagen, Phys. Rev. Lett. 86, 5329 (2001).
17. C. H. Xu, C. Z. Wang, C. T. Chan, and K. M. Ho, Phys. Rev. B 43, 5024 (1991).
18. L. Hsu, M. D. McCluskey, and J. L. Lindström, Phys. Rev. Lett. 90, 095505 (2003).
19. J. L. McAfee and S. K. Estreicher, Physica B 340-342, 637 (2003).
20. P. Giannozzi, S. Degironcoli, P. Pavone, and S. Baroni, Phys. Rev. B 43, 7231 (1991).
21. S. Hao, L. Kantorovich, and G. Davies, Phys. Rev. B 69, 155204 (2004).
22. B. Pajot, E. Artachot, C. A. J. Ammerlaan, and J.-M. Spaeth, J. Phys.: Condens. Matter 7, 7077 (1995).
23. A. R. Bean and R. C. Newman, Solid State Commun. 8, 175 (1970).
24. L. I. Murin, V. P. Markevich, J. L. Lindström, M. Kleverman, J. Hermansson, T. Hallberg, and B. G. Svensson, Solid State Phenom. 82-84, 105 (2002).
25. G. Davies and R. C. Newman, in Carbon in Monocrystalline Silicon, Handbook on Semiconductors, edited by S. Mahajan (North-Holland, Amsterdam, 1994), Vol. 3, p. 1557.
26. G. Davies, E. C. Lightowlers, R. C. Newman, and A. S. Oates, Semicond. Sci. Technol. 2, 624 (1987).
27. R. Jones and S. Öberg, Phys. Rev. Lett. 68, 86 (1992).
28. G. Davies, A. S. Oates, R. C. Newman, R. Woolley, E. C. Lightowlers, M. J. Binns, and J. G. Wilkes, J. Phys. C 19, 841 (1986).
29. W. Kurner, R. Sauer, A. Dornen, and K. Thonke, Phys. Rev. B 39, 13 327 (1989).
30. J. L. Lindström, L. Murin, V. Markevich, T. Hallberg, and B. Svensson, Physica B 273-274, 291 (1999).
31. V. Markevich, A. R. Peaker, J. Coutinho, R. Jones, V. J. B. Torres, S. Oberg, P. R. Briddon, L. I. Murin, L. Dobaczewski, and N. V. Abrosimov, Phys. Rev. B 69, 125218 (2004).
32. P. Vanmeerbeek, P. Clauws, H. Vrielinck, B. Pajot, L. V. Hoorebeke, and A. N. Larsen, Phys. Rev. B 70, 035203 (2004).
33. J. W. Corbett, G. D. Watkins, R. M. Chrenko, and R. S. McDonald, Phys. Rev. 121, 1015 (1961).
34. J. H. Svensson, B. G. Svensson, and B. Monemar, Phys. Rev. B 38, 4192 (1988).
35. G. Davies, T. Gregorkiewicz, M. Z. Iqbal, M. Kleverman, E. C. Lightowlers, N. Q. Vinh, and M. X. Zhu, Phys. Rev. B 67, 235111 (2003).
36. G. Davies, E. C. Lightowlers, M. Stavola, K. Bergman, and B. Svensson, Phys. Rev. B 35, 2755 (1987).
37. J. Hartung, L. A. Hansson, and J. Weber, in Proc. 20th Int. Conf. on the Phys. of Semicond., edited by E. M. Anastassakis and J. D. Joannopoulos (World Scientific, Singapore, 1990), p. 1875.
38. G. A. Samara, Phys. Rev. B 39, 12 764 (1989).