Biexciton luminescence from AlxGa1-xN epitaxial layers

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 12, 2004, Pages 2082-2084

  Yamada, Yoichi ^a   Ueki, Yusuke ^a   Nakamura, Kohzo ^a   Taguchi, Tsunemasa ^a   Kawaguchi, Yasutoshi ^b   Ishibashi, Akihiko ^b   Yokogawa, Toshiya ^b  

^a YAMAGUCHI UNIVERSITY   (Japan)

^b PANASONIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; COMPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; EXCITONS; GALLIUM ALLOYS; MATHEMATICAL MODELS; PHOTOLUMINESCENCE; TERNARY SYSTEMS;

TERNARY ALLOYS; WIDE-GAP SEMICONDUCTORS;

ALUMINUM ALLOYS;

EID: 1942540802     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1689749     Document Type: Article

References (20)

1. H. Amano and I. Akasaki, in Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semiconductors, edited by J. H. Edgar, S. Strite, I. Akasaki, H. Amano, and C. Wetzel (INSPEC, London, 1999), p. 139.
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. S. Nagahama, N. Iwasa, M. Senoh, T. Matsushita, Y. Sugimoto, H. Kiyoku, T. Kozaki, M. Sano, H. Matsumura, H. Umemoto, K. Chocho, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2000).
4. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L583 (2001).
5. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1431 (2002).
6. H. Hirayama, Y. Enomoto, A. Kinoshita, A. Hirata, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 80, 37 (2002).
7. J. P. Zhang, A. Chitnis, V. Adivarahan, S. Wu, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, M. Shatalov, G. Simin, J. W. Yang, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 4910 (2002).
8. T. Nishida, N. Kobayashi, and T. Ban, Appl. Phys. Lett. 82, 1 (2003).
9. G. Steude, B. K. Meyer, A. Göldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 74, 2456 (1999).
10. H. S. Kim, R. A. Mair, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 76, 1252 (2000).
11. H. Jiang, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Appl. Phys. 89, 1046 (2001).
12. G. Coli, K. K. Bajaj, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 1829 (2001); 80, 2907 (2002).
13. G. Coli, K. K. Bajaj, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 78, 1829 (2001); 80, 2907 (2002).
14. R. T. Phillips, D. J. Lovering, G. J. Denton, and G. W. Smith, Phys. Rev. B 45, 4308 (1992).
15. K. Okada, Y. Yamada, T. Taguchi, F. Sasaki, S. Kobayashi, T. Tani, S. Nakamura, and G. Shinomiya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L787 (1996).
16. Y. Kawakami, Z. G. Peng, Y. Narukawa, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 1414 (1996).
17. R. Zimmermann, A. Euteneuer, J. Möbius, D. Weber, M. R. Hofmann, W. W. Rühle, E. O. Göbel, B. K. Meyer, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 56, R12722 (1997).
18. Y. Yamada, C. Sasaki, S. Kurai, T. Taguchi, T. Sugahara, K. Nishino, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 86, 7186 (1999).
19. K. Kyhm, R. A. Taylor, J. F. Ryan, T. Aoki, M. Kuwata-Gonokami, B. Beaumont, and P. Gibart, Phys. Rev. B 65, 193102 (2002).
20. Y. Yamada, C. Sasaki, Y. Ueki, T. Taguchi, S. Tanaka, and Y. Nakagawa, Phys. Status Solidi B 240, 376 (2003).