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Volumn 188, Issue 2, 2001, Pages 715-718

Selective Area Growth of GaN on SiC Substrate by Ammonia-Source MBE

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EID: 1842686009     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-396X(200112)188:2<715::AID-PSSA715>3.0.CO;2-F     Document Type: Article
Times cited : (5)

References (9)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.