Surface modification of indium-tin-oxide anode by oxygen plasma for organic electroluminescent devices

Physica Status Solidi (A) Applied Research

Volumn 201, Issue 14, 2004, Pages 3221-3227

  You, Zhong Zhi ^a   Dong, Jiang Ya ^a   Fang, Shi Du ^b  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; ELECTROLUMINESCENCE; FUNCTIONS; INDIUM COMPOUNDS; LIGHT EMITTING DIODES; LUMINESCENCE; SUBSTRATES; SURFACE TREATMENT;

INDIUM-TIN-OXIDE ANODES; ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES; OXYGEN PLASMA TREATMENT; STORAGE TIME;

ANODES;

EID: 10944226869     PISSN: 00318965     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200406894     Document Type: Article

References (24)

1. C. W. Tang, and S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987).
2. J. H. Burroughes, D. D. C. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L. Burns, and A. B. Holmes, Nature 347, 539 (1990).
3. F. Li, H. Tang, and J. Shinar, Appl. Phys. Lett. 70, 2741 (1997).
4. B. H. Lee, I. G. Kim, S. W. Cho, and S. H. Lee, Thin Solid Films 302, 25 (1997).
5. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997).
6. J. S. Kim, M. Grandström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaeck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1995).
7. M. G. Mason, L. S. Hung, C. W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 1688 (1999).
8. S. A. Van Slyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996).
9. S. K. So, W. K. Choi, C. H. Cheng, L. M. Leung, and C. F. Kwong, Appl. Phys. A, Mater. Sci. Process. 68, 447 (1999).
10. F. Nüesch, L. J. Rothberg, E. W. Forsythe, Q. T. Le, and Y. Gao, Appl. Phys. Lett. 74, 880 (1999).
11. B. Choi, H. Yoon, and H. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 412 (2000).
12. Y. Qiu, D. Q. Zhang, L. D. Wang, and G. S. Wu, Synth. Met. 125, 415 (2002).
13. J. S. Kim, R. H. Friend, and F. Cacialli, Appl. Phys. Lett. 74, 3084 (1999).
14. L. Chkoda, C. Heske, M. Sokolowski, E. Umbach, F. Steuber, J. Staudigel, M. Stößel, and J. Simmerer, Synth. Met. 111-112, 315 (2000).
15. K. Sugiyama, H. Ishii, Y. Ouchi, and K. Seki, J. Appl. Phys. 87, 295 (2000).
16. D. J. Milliron, I. G. Hill, C. Shen, A. Kahn, and J. Schwartz, J. Appl. Phys. 87, 572 (2000).
17. L. Zuppiroli, L. Si-Ahmed, K. Kamaras, F. Nüesch, M. N. Bussac, D. Ades, A. Siove, E. Moons, and M. Grätzel, Eur. Phys. J. B 11, 505 (1999).
18. J. A. Chaney and P. E. Pehrsson, Appl. Surf. Sci. 180, 214 (2001).
19. I. D. Park, J. Appl. Phys. 75, 1656 (1994).
20. E. Gautier-Thianche, C. Sentein, A. Lorin, C. Denis, P. Raimond, and J.-M. Nunzi, J. Appl. Phys. 83, 4236 (1998).
21. D. V. Khramtchenkov, H. Bässler, and V. I. Arkhipov, J. Appl. Phys. 79, 9283 (1996).
22. S. M. Sze (ed.), Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 254.
23. M. Ishii, T. Mon, H. Fujikawa, S. Tokito, and Y. Taga, J. Lumines. 87-89, 1165 (2000).
24. M. G. Mason, L. S. Hung, C. W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 2116 (1999).