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EPJ Applied Physics

Volumn 27, Issue 1-3, 2004, Pages 75-79

Resonant excitation of Er ion luminescence in a nanocrystalline silicon matrix

(5) Garcia J A a Plugaru, R b Mendez B b Piqueras, J b Tate, T J c

a UNIVERSITY OF THE BASQUE COUNTRY UPV EHU (Spain)

b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID (Spain)

c IMPERIAL COLLEGE LONDON (United Kingdom)

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ANNEALING; CATHODOLUMINESCENCE; DOPING (ADDITIVES); ERBIUM; GERMANIUM; IMPURITIES; INFRARED RADIATION; ION IMPLANTATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; PHONONS; PHOTOLUMINESCENCE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

EMISSION BANDS; IMPURITY IMPLANTATION; INFRARED EMISSIONS; RESONANT EXCITATION;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 10244222177 PISSN: 12860042 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1051/epjap:2004083 Document Type: Conference Paper

Times cited : (6)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.