Catalytic growth of silicon nanowires assisted by laser ablation

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 108, Issue 3, 2004, Pages 846-852

  Yang, Yi Han ^a,b   Wu, Sheng Jia ^a,b   Chiu, Hui Shan ^a,b   Lin, Ping I ^a,b   Chen, Yit Tsong ^a,b  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ACADEMIA SINICA   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYSIS; CRYSTAL GROWTH; IRON; LASER ABLATION; PRASEODYMIUM; PRESSURE EFFECTS; RUTHENIUM; SILICA; SILICON; SINGLE CRYSTALS;

CATALYTIC GROWTH; SILICON NANOWIRES; VAPOR-LIQUID-SOLID PROCESS;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0742304075     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp030663d     Document Type: Article

References (47)

1. Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933.
2. Baron, T.; Martin, F.; Mur, P.; Wyon, C.; Dupuy, M.; Busseret, C.; Souifi, A.; Guillot, G. Appl. Surf. Sci. 2000, 164, 29.
3. Park, N.-M.; Kim, S. H.; Sung, G. Y.; Park, S.-J. Chem. Vap. Deposition 2000, 8, 254.
4. Liu, H. I.; Biegeisen, D. K.; Ponce, F. A.; Johnson, N. M.; Pease, R. F. W. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1383.
5. Wakayama, Y.; Tanaka, S. J. Cryst. Growth 1997, 181, 304.
6. Ono, T.; Saitoh, H.; Esashi, M. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 1852.
7. Sanders, G. D.; Chang, Y. C. Phys. Rev. B 1992, 45, 9202.
8. Wang, N.; Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3902.
9. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Phys. Rev. B 1998, 58, 16024.
10. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 1999, 299, 237.
11. Tang, Y. H.; Zheng, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2000, 328, 346.
12. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Wang, N.; Yu, D. P.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1835.
13. Wang, N.; Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Yu, D. P.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 1998, 283, 368.
14. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Wang, N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. J. Cryst. Growth 1999, 197, 136.
15. Tang, Y. H.; Zhang, Y. F.; Wang, N.; Shi, W. S.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. J. Vac. Sci. Technol. B 2001, 19, 317.
16. Lee, S. T.; Zhang, Y. F.; Wang, N.; Tang, Y. H.; Bello, I.; Lee, C. S.; Chung, Y. W. J. Mater. Res. 1999, 14, 4503.
17. Fan, X. H.; Xu, L.; Li, C. P.; Zheng, Y. F.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2001, 334, 229.
18. Shi, W. S.; Peng, H. Y.; Zheng, Y. F.; Wang, N.; Shang, N. G.; Pan, Z. W.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2000, 12, 1343.
19. Zhang, Y. F.; Tang, Y. H.; Lam, C.; Wang, N.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. J. Cryst. Growth 2000, 212, 115.
20. Li, C. P.; Sun, X. H.; Wong, N. B.; Lee, C. S.; Lee, S. T.; Teo, B. K. Chem. Phys. Lett. 2002, 365, 22.
21. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208.
22. Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
23. Duan, X.; Lieber, C. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 188.
24. Cui, Y.; Leiber, C. M. Science 2001, 291, 851.
25. Hu, J.; Ouyang, M.; Yang, P.; Lieber, C. M. Nature 1999, 399, 48.
26. Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Wang, J.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2214.
27. Yu, D. P.; Lee, C. S.; Bello, I.; Sun, X. S.; Tang, Y. H.; Zhou, G. W.; Bai, Z. G.; Feng, S. Q. Solid State Commun. 1998, 105, 403.
28. Yu, D. P.; Bai, Z. G.; Ding, Y.; Hang, Q. L.; Zhang, H. Z.; Wang, J. J.; Zou, Y. H.; Qian, W.; Xiong, G. C.; Zhou, H. T.; Feng, S. Q. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 3458.
29. Feng, S. Q.; Yu, D. P.; Zhang, H. Z.; Bai, Z. G.; Ding, Y. J. Cryst. Growth 2000, 209, 513.
30. Zhou, G.; Zhang, Z.; Yu, D. P. J. Cryst. Growth 1999, 197, 129.
31. Yu, D. P.; Bai, Z. G.; Wang, J. J.; Zou, Y. H.; Qian, W.; Fu, J. S.; Zhang, H. Z.; Ding, Y.; Xiong, G. C.; You, L. P.; Xu, J.; Feng, S. Q. Phys. Rev. B 1999, 59, 2498.
32. Zhou, G. W.; Zhang, Z.; Bai, Z. G.; Feng, S. Q.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 677.
33. Zhang, H. Z.; Yu, D. P.; Ding, Y.; Bai, Z. G.; Hang, Q. L.; Feng, S. Q. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3396.
34. Bai, Z. G.; Yu, D. P.; Wang, J. J.; Zou, Y. H.; Qian, W.; Fu, J. S.; Feng, S. Q.; Xu, J.; Lou, L. P. Mater. Sci. Eng. B 2000, 72, 117.
35. Xing, Y. J.; Yu, D. P.; Xi, Z. H.; Xue, Z. Q. Chin. Phys. 2002, 11, 1047.
36. Xing, Y. J.; Xi, Z. H.; Yu, D. P.; Hang, Q. L.; Yan, H. F.; Feng, S. Q.; Xue, Z. Q. Chin. Phys. Lett. 2002, 19, 240.
37. Yan, H. F.; Xing, Y. J.; Hang, Q. L.; Yu, D. P.; Wang, Y. P.; Xu, J.; Xi, Z. H.; Feng, S. Q. Chem. Phys. Lett. 2000, 323, 224.
38. Wagner, R. S.; Ellis W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
39. In Whisker Technology; Levitt, A. P., Ed.; Wiley-Interscience: New York, 1970; pp 47-119.
40. Seddon, E. A.; Seddon, K. R. The Chemistry of Ruthenium; Elsevier: Amsterdam, 1984.
41. Harris, D. C. Quantitative Chemical Analysis, 4th ed.; W. H. Freeman and Company: New York, 1995.
42. Ishida, S.; Iwamoto, Y.; Kabuto, C.; Kira, M. Nature 2003, 421, 725.
43. Ma, X. L.; Zhu, Y. L.; Zhang, Z. Philos. Mag. Lett. 2002, 82, 461.
44. Boehm, H. P. Carbon 1973, 11, 583.
45. Dimitriadis, C. A.; Stoemenos, J.; Coxon, P. A.; Friligkos, S.; Antonopoulos, J.; Economou, N. A. J. Appl. Phys. 1993, 73, 8402.
46. In Silicon-Based Materials and Devices; Nalwa, H. S., Ed.; Academic Press: San Diego, 2001; Vol. 2, pp. 193-223.
47. Yoshida, T.; Takeyama, S.; Yamada, Y.; Mutoh, K. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1772.