Characterization of ferromagnetic Ga1-xMnxN layers grown on sapphire (0001) substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 2, 2004, Pages 591-596

  Yoon, I T ^a   Park, C S ^a   Kim, H J ^a   Kim, Y G ^a   Kang, T W ^a   Jeong, M C ^b   Ham, M H ^b   Myoung, J M ^b  

^a Dongguk University   (South Korea)

^b Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; FERROMAGNETIC MATERIALS; IMAGE ANALYSIS; MANGANESE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA APPLICATIONS; SAPPHIRE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SQUIDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS (DMS); MAGNETOMETRY;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0742268445     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1633340     Document Type: Article

References (25)

1. H. Ohno, Science 281, 951 (1998).
2. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
3. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chihyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science 291, 854 (2001).
4. T. Hartman, M. Lampalzer, P. J. Klar, W. Stolz, W. Heimbrodt, H.-A. Keug von Nidda, A. Loids, and L. Svistov, Physica E (Amsterdam) 13, 572 (2002).
5. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Phys. Rev. Lett. 89, 107203 (2002).
6. G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, and K. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L949 (2000).
7. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 79, 3473 (2001).
8. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth 237, 1358 (2002).
9. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 80, 3964 (2002).
10. E. Abe, F. Matsukura, H. Yasuda, Y. Ohno, and H. Ohno, Physica E (Amsterdam) 7, 981 (2000).
11. R. N. Bhatt, M. Berciu, M. P. Kennett, and X. Wan, J. Supercond. 15, 71 (2002).
12. K. S. Huh, M. H. Ham, J. M. Myoung, J. M. Lee, K. I. Lee, J. Y. Chang, S. H. Han, H. J. Kim, and W. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L1069 (2002).
13. M. J. Caldas, A. Fazzio, and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 45, 671 (1984).
14. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
15. T. Graf, M. Gjukic, M. S. Brandt, M. Stutzmann, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 81, 5159 (2002).
16. Y. Shon, Y. H. Kwon, S. Y. Yudashev, J. H. Leem, C. S. Park, D. J. Fu, H. J. Kim, and T. W. Kang, Appl. Phys. Lett. 81, 1845 (2002).
17. J. Sehneider, U. Kaufmann, W. Wilkening, M. Baeumler, and F. Köhl, Phys. Rev. Lett. 59, 240 (1987).
18. M. Linnarsson, E. Janze'n, B. Monemar, M. Kleverman, and A. Thilderkvist, Phys. Rev. B 55, 6938 (1997).
19. M. Zajac, R. Doradzinski, J. Gorsk, J. Szczytko, M. Lefeld-Sosnowska, M. Kaminska, A. Twardowski, M. Palczewska, E. Grzanka, and W. Gebicki, Appl. Phys. Lett. 78, 1276 (2001).
20. W. Shan, T. J. Schmidt, X. H. Tang, S. J. Hwang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
21. M. Hashimoto, Y. K. Zhou, H. Tampo, M. Kanamura, and H. Asahi, J. Cryst. Growth 252, 499 (2003).
22. M. Steube, K. Reimann, D. Fröhlich, and S. J. Clarke, Appl. Phys. Lett. 71, 948 (1997).
23. J. Y. Chang, G. H. Kim, J. M. Lee, S. H. Han, H. J. Kim, W. Y. Lee, M. H. Ham, K. S. Huh, and J. M. Myoung, J. Appl. Phys. 93, 7858 (2003).
24. J. W. Orton, Semicond, Sci. Technol. 10, 101 (1995).
25. S. J. Pearton, C. R. Abmathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Norton, N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, and L. A. Boatner, J. Appl. Phys. 93, 1 (2003).