Free excitons with n=2 in bulk GaN

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 7, 1997, Pages 948-949

  Steube, M ^a   Reimann, K ^a   Frohlich D ^a   Clarke, S J ^b,c  

^a TU DORTMUND UNIVERSITY   (Germany)

^b Department of Molecular Biology and Genetics   (United States)

^c UNIVERSITY OF OXFORD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001540712     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119697     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
2. D. Dingle, K. L. Shaklee, R. F. Leheny, and R. B. Zetterstrom, Appl. Phys. Lett. 19, 5 (1971).
3. T. Yang, S. Nakajima, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 5912 (1995).
4. A. Mang, K. Reimann, and St. Rübenacke, Solid State Commun. 94, 251 (1995).
5. H. Yamane, M. Shimada, S. J. Clarke, and F. J. DiSalvo, Chem. Mater. 9, 413 (1997).
6. K. P. Korona, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. Lucznik, M. Wróblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 69, 788 (1996).
7. K. Pakula, A. Wysmolek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stepniewski, I. Grzegory, M. Boćkowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wróblewski, and S. Porowski, Solid State Commun. 97, 919 (1996).
8. H. Teisseyre, G. Nowak, M. Leszczynski, I. Grzegory, M. Bockowski, S. Krukowski, S. Porowski, M. Mayer, A. Pelzmann, M. Kamp, K. J. Ebeling, and G. Karczewski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 13 (1996).
9. L. Eckey, L. Podlowski, A. Göldner, A. Hoffmann, I. Broser, B. K. Meyer, D. Volm, T. Streibl, K. Hiramatsu, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, in Silicon Carbide and Related Materials 1995, edited by S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yoshida, and H. Harima, Inst. Phys. Conf. Ser. 142 (IOP, Bristol, 1996), p. 943.
10. A. S. Barker and M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
11. M. Drechsler, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1178 (1995).
12. M. Suzuki and T. Uenoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 34, 3442 (1995).
13. J. M. Baranowski and S. Porowski, in Proceedings of the 23nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin 1996, edited by M. Scheffler and R. Zimmermann (World Scientific. Singapore, 1996), Vol. 1, p. 497.
14. D. Volm, K. Oettinger, T. Streibl, D. Kovalev, M. Ben-Chorin, J. Diener, B. K. Meyer, J. Majewski, L. Eckey, A. Hoffmann, H. Amano, I. Akasaki, K. Hiramatsu, and T. Detchprohm, Phys. Rev. B 53, 16543 (1996).
15. C. Merz, M. Kunzer, U. Kaufmann, I. Akasaki, and H. Amano, Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
16. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
17. M. Smith, G. D. Chen, J. Z. Li, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, W. K. Kim, O. Aktas, A. Botchkarev, and H. Morkoç. Appl. Phys. Lett. 67, 3387 (1995).
18. M. Smith, G. D. Chen, J. Y. Lin, H. X. Jiang, M. Asif Khan, C. J. Sun, Q. Chen, and J. W. Yang, J. Appl. Phys. 79, 7001 (1996).
19. W. Shan, B. D. Little, A. J. Fischer, J. J. Song, B. Goldenberg, W. G. Perry, M. D. Bremser, and R. F. Davis. Phys. Rev. B 54, 16369 (1996).
20. D. C. Reynolds, D. C. Look, W. Kim, Ö. Aktas, A. Botchkarev, A. Salvador, H. Morkoç, and D. N. Talwar, J. Appl. Phys. 80, 594 (1996).
21. B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, W. Li, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 2 (1996).