Single-grain thin-film transistor using Ni-mediated crystallization of amorphous silicon with a silicon nitride cap layer

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 24, 2003, Pages 5068-5070

  Kim, Jung Chul ^a   Choi, Jong Hyun ^a   Kim, Seung Soo ^a   Kim, Kyu Man ^a   Jang, Jin ^a  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; DEHYDROGENATION; EXCIMER LASERS; GRAIN SIZE AND SHAPE; MORPHOLOGY; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POLYSILICON; SILICON NITRIDE; SURFACE ROUGHNESS; THIN FILM TRANSISTORS; THRESHOLD VOLTAGE;

FIELD EFFECT MOBILITY; METAL-INDUCED CRYSTALLIZATION; NICKEL DENSITY; POLYSILICON FILM;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 0347133602     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1633974     Document Type: Article

References (22)

1. R. B. Iverson and R. Reif, J. Appl. Phys. 62, 1675 (1987).
2. K. H. Kim, S. J. Park, K. S. Cho, W. S. Sohn, and J. Jang, Digest SID'02 (2002), p. 150.
3. M. Miyasaka and J. Stoemenos, J. Appl. Phys. 86, 5556 (1999).
4. C. T. Angelis, C. A. Dimitriadis, M. Miyasaka, F. V. Farmakis, G. Kamarinos, J. Brini, and J. Stoemenos, J. Appl. Phys. 86, 4600 (1999).
5. C. A. Dimitriadis, J. Stoemenos, P. A. Coxon, S. Friligkos, J. Antonopoulos, and N. A. Economou, J. Appl. Phys. 73, 8402 (1993).
6. A. B. Y. Chan, C. T. Nguyen, P. K. Ko, M. Wong, A. Kumar, J. Sin, and S. S. Wong, IEEE Electron Device Lett. 17, 518 (1996).
7. A. Hara, F. Takeuchi, and N. Sasaki, J. Appl. Phys. 91, 708 (2002).
8. V. K. Gueorguiev, Tz. E. Ivanov, C. A. Dimirtiadis, L. I. Popova, and S. K. Andreev, Microelectron. J. 31, 2.7 (2000).
9. Z. Meng, W. Wang, and M. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 47, 404 (2000).
10. S. Y. Yoon, S. K. Kim, J. Y. Oh, Y. J. Choi, W. S. Shon, C. O. Kim, and J. Jang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 7193 (1998).
11. D. K. Shon, J. N. Lee, S. W. Kang, and B. T. Ahn, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1005 (1995).
12. S. Y. Yoon, S. J. Park, K. H. Kim, and J. Jang, Thin Solid Films 383, 34 (2001).
13. J. H. Choi, D. Y. Kim, B. K. Choo, W. S. Shon, and J. Jang, Electrochem. Solid-State Lett. 6, G16 (2003).
14. P. J. van der Zaag, M. A. Verheijen, S. Y. Yong, and N. D. Young, Appl. Phys. Lett. 81, 3404 (2003).
15. T. K. Kim, T. H. Ihn, B. I. Lee, and S. K. Joo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4244 (1998).
16. J. R. Ayers, S. D. Brotherton, C. A. Fishere, and D. J. McCulloch, IDW '98 (1998), p. 127.
17. W. S. Shon, J. H. Choi, K. H. Kim, J. H. Oh, S. S. Kim, and J. Jang, J. Appl. Phys. 94, 4326 (2003).
18. B.-Y. Tsaur, J. C. C. Fan, and M. W. Geis, Appl. Phys. Lett. 40, 322 (1982).
19. J. Y. Seto, J. Appl. Phys. 46, 5247 (1975).
20. R. E. Proano and D. G. Ast, J. Appl. Phys. 66, 2189 (1989).
21. K. O. Jeppson and C. M. Syensson, J. Appl. Phys. 48, 2004 (1977).
22. K. H. Kim, S. J. Park, K. S. Cho, J. H. Oh, W. S. Sohn, J. U. Kwak, S. H. Kang, Y. D. Son, and J. Jang, Digest SID'03 (2003), p. 1306.